Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 9 » Статья стр. 67
<<<>>>
Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6H-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2017.09.44578.16607
Нечаев Д.В.1, Ситникова А.А.1, Брунков П.Н.1, Иванов С.В.1, Жмерик В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nechayev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
PDF версия
Исследованы in situ генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре Al0.25Ga0.75N/GaN/AlN общей толщиной более 3 mum в процессе ее роста на подложке 6H-SiC методом низкотемпературной плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при температурах подложки 690-740oC. При комнатной температуре слои AlN и GaN показали остаточные сжимающие напряжения величиной -2.3 и -0.1 GPa соответственно, что позволило исключить растрескивание структуры при ее постростовом остывании. DOI: 10.21883/PJTF.2017.09.44578.16607
  1. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N. et al. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2008. V. 17. P. 1
  2. Liu L., Edgar J.H. // Mater. Sci. Eng. R. 2002. V. 37. P. 61
  3. Taniyasu Y., Kasu M., Makimoto T. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 298. P. 310
  4. Okumura H., Kimoto T., Suda J. // Appl. Phys. Exp. 2011. V. 4. P. 025502
  5. Maruska H.P., Tietjen J.J. // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 15. P. 327
  6. Yim W.M., Paff R.J. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 1456
  7. Okumura H., Kimoto T., Suda J. // Appl. Phys. Exp. 2012. V. 5. P. 105502
  8. Cho E., Mogilatenko A., Brunner F. et al. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 371. P. 45
  9. Guojian D., Liwei G., Zhigang X. et al. // J. Semicond. 2010. V. 31. P. 033003
  10. Lacey G., Whitehouse C.R., Parbrook P.J. et al. // Appl. Surf. Sci. 1998. V. 123/124. P. 718
  11. Nechaev D.V., Aseev P.A., Jmerik V.N. et al. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 378. P. 319
  12. Jmerik V.N., Mizerov A.M., Nechaev D.V. et al. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 354. P. 188
  13. Hearne S., Chason E., Han J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 356
  14. Kamitani K., Grimsditch M., Nipko J.C. et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 3152
  15. Wright A.F. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 2833
  16. Nix W.D., Clemens B.M. // J. Mater. Res. 1999. V. 14. P. 3467
  17. Cantu P., Wu F., Waltereit P. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 103534

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme