Вышедшие номера
Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6H-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
Нечаев Д.В.1, Ситникова А.А.1, Брунков П.Н.1, Иванов С.В.1, Жмерик В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nechayev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Исследованы in situ генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре Al0.25Ga0.75N/GaN/AlN общей толщиной более 3 mum в процессе ее роста на подложке 6H-SiC методом низкотемпературной плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при температурах подложки 690-740oC. При комнатной температуре слои AlN и GaN показали остаточные сжимающие напряжения величиной -2.3 и -0.1 GPa соответственно, что позволило исключить растрескивание структуры при ее постростовом остывании. DOI: 10.21883/PJTF.2017.09.44578.16607