"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
Соболев Н.А.1, Калядин А.Е.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Шек Е.И.1, Карабешкин К.В.1, Карасев П.А.2, Титов А.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85 keV и дозой 8.3· 1014 cm-2 в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг при температуре 1100oC в хлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3 h. С увеличением температуры измерения от 80 до 200 K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону.
  1. Дроздов Н.А., Патрин А.А., Ткачев В.Д. // Письма в ЖЭТФ. 1976. Т. 23. С. 651
  2. Соболев Н.А. // ФТП. 2010. Т. 44. С. 3
  3. Соболев Н.А., Калядин А.Е., Коновалов М.В. и др. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 2. С. 241
  4. Binetti S., Pizzini S., Leoni E. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. P. 2437
  5. Sauer R., Weber J., Stolz J. et al. // Appl. Phys. A. 1985. V. 36. P. 1
  6. Sobolev N.A., Emel'yanov A.M., Shek E.I. et al. // Phys. Stat. Sol. (с). 2005. V. 2. P. 1842
  7. Xiang L., Li D., Jin L. et al. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 033 518
  8. Bothe K., Falster R.J., Murphy J.D. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101(3). P. 032 107
  9. Michel J., Palm J., Gan F. et al. // Mater. Sci. Forum. 1995. V. 196--201. P. 585

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.