Вышедшие номера
Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)
Масалов С.А.1, Атращенко А.В.1, Улин В.П.1, Попов Е.О.1, Колосько А.Г.1, Филиппов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergeym@mail.com
Поступила в редакцию: 17 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Проведены измерения локальных электрофизических свойств поверхности пористого GaP с использованием методики туннельной спектроскопии в сверхвысоком вакууме. Обнаружены две области поверхности с различными электрофизическими свойствами. Наблюдался эффект аномальной полевой фотоэмиссии, наиболее вероятной причиной которой является наличие нанокластеров Ga2O3, GaP и ассоциированных с ними поверхностных состояний акцепторного типа, обладающих высокой плотностью. Для получения интегральных характеристик полевой электронной эмиссии с поверхности образца использовалась компьютеризированная система регистрации с онлайн-обработкой воль-тамперных характеристик.