Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN
Бочкарева Н.И.1, Иванов А.М.1, Клочков А.В.1, Тарала В.А.2, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь
Email: N.Bochkareva@mail.ioffe.ru, y.shreter@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Показано, что кратковременный джоулев разогрев активной области светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN до 125oC при плотности тока 150 A/cm2 стимулирует изменение энергетического спектра дефектных состояний в запрещенной зоне GaN и увеличение квантовой эффективности.
- http://www.cree.com/News-and-Events/Cree-News/Press-Releases/ 2014/March/300LPW-LED-barrier
- Calciatti M., Goano M., Bertazzi F. et al. // AIP Adv. 2014. V. 4. P. 067 118
- Mirotani H., Yamada Y., Honda Y., Amano H. // Phys. Status Solidi. B. 2015. V. 252. P. 940
- Bochkareva N.I., Rebane Y.T., Shreter Y.G. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 191 101
- Badcook T.J., Hammersley S., Watson-Parris D. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2013. V. 52. P. 08JK10
- Бочкарева Н.И., Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 12. С. 1714--1719. [ Bochkareva N.I., Rebane Yu.T., Shreter Yu.G. // Semiconductors. 2015. V. 49. N 12. P. 1665--1670.]
- Chen T.T., Wang C.P., Fu H.K. et al. // Opt. Express. 2014. V. 22. N S5. P. A1328--A1333
- De Santi C., Meneghini M., Trivellin N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 213 506
- Бочкарева Н.И., Иванов А.М., Клочков А.В. et al. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 6. С. 847--855. [ Bochkareva N.I., Ivanov A.M., Klochkov A.V. et al. // Semiconductors. 2015. V. 49. N 6. P. 827--835.]
- Reshchikov M.A., Morkoc H. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 061 301
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
