"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл--окисел--p+-кремний
Векслер М.И.1, Карева Г.Г.2, Илларионов Ю.Ю.1,3, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
3Technische Universitat Wien, Institut fur Mikroelektronik, Gu
Email: shulekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Измерены и теоретически проанализированы вольт-амперные характеристики наноструктур Al/термический или электрохимический SiO2(2-4 nm)/сильнолегированный p+-Si, функционирующих как резонансно-туннельный диод. Характеристики демонстрируют особенности в виде ступеней и пиков тока, обусловленные транспортом электронов между валентной зоной кремния и металлом через дискретные уровни квантовой ямы, создаваемой зоной проводимости p+-Si и межфазной границей SiO2/p+-Si. Рассмотрены также резонансное туннелирование через уровни поверхностных состояний и появление при определенных условиях заряда вблизи указанной границы.
  1. Robertson J., Wallace R.W. // Mat. Sci. Eng. R. 2015. V. 88. P. 1--41
  2. Ranuarez R.C., Deen M.J., Chen C.H. // Microelectron. Reliab. 2006. V. 46. N 12. P. 1939--1956
  3. Карева Г.Г., Векслер М.И. // ФТП. 2013. Т. 47 В. 8. С. 1087--1093
  4. Kareva G.G., Vexler M.I., Illarionov Yu.Yu. // Microelect. Eng. 2013. V. 109. P. 270--273
  5. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие. М.: Изд-во "Техносфера", 2008. 512 с
  6. Векслер М.И., Тягинов С.Э., Илларионов Ю.Ю. et al. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 5. С. 675--683
  7. Sun J.P., Haddad G.I., Mazumder P., Schulman J.N. // Proc. IEEE. 1998. V. 86. N 4. P. 641--660

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.