Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 21 » Статья стр. 1
>>>
Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом
DOI: 10.21883/pjtf.2016.21.43834.16230
Вендик О.Г.1, Вендик И.Б.1, Туральчук П.А.1, Парнес Я.М.1, Парнес М.Д.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Резонанс", Санкт-Петербург
Email: ogvendik@rambler.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
PDF версия
Обсуждается методика синтеза микроволновых усилителей мощности на транзисторах с гетеропереходом AlGaN/GaN. Основное внимание уделено разработке методики синтеза трансформирующих цепей усилителя мощности с целью увеличения коэффициента полезного действия при сохранении высокого уровня выходной мощности. Используется независимое согласование на частотах гармоник и на фундаментальной частоте, что позволяет управлять значением достижимого коэффициента полезного действия в широкой полосе частот наряду с полным подавлением гармоник за пределами рабочей полосы. Разработаны и экспериментально исследованы микроволновые усилители мощности на 4 и 9 GHz.
  1. Kuznia J.N., Khan M.A., Olson D.T., Kaplan R. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N 27. P. 4700--4702
  2. Данилин В.Н., Жукова Т.А., Кузнецов Ю. и др. // Электроника. 2005. N 4. С. 20--29
  3. Борисов Л., Щелкунов Г. // Электроника. 2012. N 4. C. 102--110
  4. Formicone G., Boueri F., Battaglia B. // Proc. IEEE COMCAS. 2013. P. 4
  5. Grebennicov A. Switchmode RF and Microwave Power Amplifier. Academic Press, 2012. P. 345
  6. Colantonio P., Giannini F., Limiti E. High efficiency RF and microwave solid state power amplifier. A John Wiley and Sons, 2009. P. 495
  7. Pengelly R.S., Wood S.M., Milligan J.W. et al. // IEEE Trans. MTT. 2012. V. 60. N 6. P. 1764--1783
  8. Cripps S.C. RF Power Amplifiers for Wireless Communications. Artech House. Norwood, Mass, 2006
  9. Sokal N.O. // IEEE MTT-S. 2000. V. 2. P. 779--782
  10. Raab F.H. // IEEE Trans. MТТ. 2001. V. 49. N 8. P. 1462--1468
  11. Туральчук П.А., Кириллов В.В., Вендик О.Г., Парнес М.Д. // Труды конф. "Электроника и микроэлектроника СВЧ". Санкт-Петербург, 2016. C. 182--186
  12. Tuffy N., Zhu A., Brazil T.J. // IEEE MTT-S. 2011. P. 1--4.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme