Вышедшие номера
Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом
Вендик О.Г.1, Вендик И.Б.1, Туральчук П.А.1, Парнес Я.М.1, Парнес М.Д.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Резонанс", Санкт-Петербург
Email: ogvendik@rambler.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Обсуждается методика синтеза микроволновых усилителей мощности на транзисторах с гетеропереходом AlGaN/GaN. Основное внимание уделено разработке методики синтеза трансформирующих цепей усилителя мощности с целью увеличения коэффициента полезного действия при сохранении высокого уровня выходной мощности. Используется независимое согласование на частотах гармоник и на фундаментальной частоте, что позволяет управлять значением достижимого коэффициента полезного действия в широкой полосе частот наряду с полным подавлением гармоник за пределами рабочей полосы. Разработаны и экспериментально исследованы микроволновые усилители мощности на 4 и 9 GHz.