"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
Соловьев В.А.1, Чернов М.Ю.1, Мельцер Б.Я.1, Семенов А.Н.1, Терентьев Я.В.1, Фирсов Д.Д.2, Комков О.С.2, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: vasol@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Впервые получены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) с использованием градиентного буферного слоя InAlAs метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs с субмонослойной вставкой InSb. Данные наногетероструктуры характеризуются интенсивной фотолюминесценцией с длиной волны более 3 mum (80 K), сдвинутой в длинноволновую область спектра по сравнению с линией излучения от структур без вставки InSb.
  1. Terent'ev Ya.V., Danilov S.N., Loher J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. P. 101 111
  2. Capotondi F., Biasiol G., Ercolani D. et al. // Thin Solid Films. 2005. V. 484. P. 400
  3. Olsen J.A., Hu E.L., Lee S.R. et al. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 3578
  4. Solov'ev V.A., Lyublinskaya O.G., Semenov A.N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 011 109
  5. Иванов С.В., Соловьев В.А., Сорокин С.В. // Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы. / Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.: Физматлит, 2006. С. 433--470
  6. Lu Q., Zhuang Q., Marshall A. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2014. V. 29. P. 075 011
  7. Ledentsov N., Bohrer J., Beer M. et al. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. 14 058

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.