Морфология, структурные и электрофизические свойства монокристаллов бестигельного Si(111)
Фрицлер К.Б.1, Труханов Е.М.1, Калинин В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kbf@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
Представлены результаты исследования структурного состояния поверхности и распределения электрофизических параметров по длине монокристаллов кремния, выращенных в направлении [111] методом бестигельной зонной плавки. Определены геометрические параметры морфологических признаков гранной формы тетрагонтриоктаэдра. Показано, что наросты, как и реберные выступы, являются морфологическим элементом поверхности слитка, характеризующим формы роста ромбического додекаэдра и тетрагонтриоктаэдра. Установлено, что в области наростов увеличивается неоднородность распределения времени жизни неравновесных носителей заряда, что обусловлено нестабильностью скорости кристаллизации.
- Duffar T. (ed.). Crystal Growth Processes Based on Capillarity: Czochralski, Floating Zone, Shaping and Crucible Techniques. John Wiley \& Sons, 2010. 566 p
- Barinovs G., Sabanskis A., Muiznieks A. // J. Crystal Growth. 2014. V. 391. P. 13--17
- Barinovs G., Sabanskis A., Muiznieks A. // J. Crystal Growth 2014. V. 401. P. 137--140
- Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Калинин В.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 12. С. 55--60
- Строителев С. А., Камарали В.В., Муравицкий С.А. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1975. С. 42--44
- Губенко А.Я. // Кристаллография. 2001. Т. 46. N 1. С. 88
- Burton J.A., Prim R.C., Sclichter W.P. // J. Chem. Phys. 1953. V. 21. N 11. P. 1987--1991
- Shockley W., Read W.T. // Phys. Rev. 1952. V. 87. P. 835--842
- Hall R.N. // Phys. Rev. 1952. V. 87. P. 387
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.