Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами в приближении функции распределения электронов, слабо меняющейся на энергиях порядка нескольких ширин квантового уровня, исследована зависимость интегрального коэффициента прохождения от амплитуды и частоты сильных высокочастотных резонансных полей при двухфотонных переходах. Показано, что, несмотря на сильную зависимость формы и ширины резонансных уровней от амплитуд СВЧ-полей, в сильных полях общая картина интегрального взаимодействия электронов с фотонами слабо меняется в широком диапазоне изменения ширин уровней и амплитуд.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.