Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 15 » Статья стр. 27
<<<>>>
Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых (>100 mum) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Дроздов М.Н.1,2, Дроздов Ю.Н.2,1, Юнин П.А.2,1, Фоломин П.И.3, Гриценко А.Б.3, Крюков В.Л., Крюков Е.В.
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: drm@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
PDF версия
Показана новая возможность анализа атомного состава толстых (>100 mum) эпитаксиальных слоев GaAs методом ВИМС с использованием латерального изображения поперечного сечения структуры. Стандартная геометрия послойного анализа оказывается малоинформативной из-за перенапыления материала со стенок на дно кратера при возрастании глубины кратера до нескольких десятков микрон. Определены профили концентрации легирующей примеси Te и Zn, концентрации Al и основных примесей в слоях PIN-диода на глубину 130 mum. Элементная чувствительность находится на уровне 1016 at./cm3, стандартном для послойного анализа на установке TOF.SIMS-5, разрешение равно удвоенному диаметру пучка зондирующих ионов Bi. Обсуждаются возможности повышения разрешения по глубине и элементной чувствительности предложенного метода анализа.
  1. Крюков В.Л., Крюков Е.В., Меерович Л.А., Стрельченко С.С., Титивкин К.А. // Наукоемкие технологии. 2014. Т. 15. N 2. С. 42
  2. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. // Силовая электроника. 2010. N 5. С. 4
  3. Крюков Е.В., Крюков В.Л., Меерович Л.А., Стрельченко С.С., Титивкин К.А. // Патент РФ 2488911 от 19.03.2012. Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии
  4. Toompuu J., Korolkov O., Sleptvsuk N., Rang T. // Electron. Electric. Eng. 2010. N 4 (100). P. 51
  5. Yunin P.A., Drozdov Y.N., Drozdov M.N. // Surf. Interface Anal. 2015. V. 47. P. 771
  6. Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Салащенко Н.Н., Полушкин Н.И., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. С. 1
  7. Barcz A., Zielinski M., Nossarzewska E., Lindstroem G. // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 203--204. P. 396
  8. Kollmer F., Paul W., Krehl M., Niehuis E. // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. P. 312
  9. Mao D., Lu C., Winograd N. // Anal. Chem. 2011. V. 83. P. 6410
  10. Gelb L.D., Millilo T.M., Walker A.V. // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. P. 479
  11. Nakamura K., Ishikawa Y., Utsumi K. // Surf. Interface Anal. 2006. V. 38. P. 1734
  12. Senoner M., Unger W.E.S. // Surf. Interface Anal. 2007. V. 39. P. 16

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme