"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
Журавлев К.С.1,2, Малин Т.В.1, Мансуров В.Г.1, Земляков В.Е.3, Егоркин В.И.3, Парнес Я.М.4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
Email: zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии роста in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN со сверхтонким барьером AlN. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 A/mm, напряжением насыщения 1 V, крутизной до 350 mS/mm, пробивным напряжением более 60 V. Транзисторы показали практическое отсутствие эффектов стокового и затворного коллапса.
  1. Khan M.A., Bhattarai A., Kuznia J.N., Olson D.T. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. P. 1214
  2. Wu Y.-F., Kapolnek D., Ibbetson J.P. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2004. V. 25 (3). P. 117--119
  3. Palacios T., Chakraborty A., Rajan S. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2005. V. 26 (11). P. 781--783
  4. Millan J., Godignon P., Perpina X. et al. // IEEE Trans Power Electron. 2014. V. 29 (5). P. 2155--2163
  5. Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Keiji Ikeda et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2004. V. 43 (4b). P. 2255--2258
  6. Moon J., Shihchang W. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2005. V. 26 (6). P. 348
  7. Wang Chong, Zhang Jinfeng, Quan Si et al. // J. Semiconductors. 2008. V. 29 (9). P. 1682
  8. Hu X., Simin G., Yang J. et al. // Electron Lett. 2000. V. 36 (13). P. 753
  9. Cai Y., Zhou Y., Lau K.M. et al. // IEEE Trans Electron Devices. 2006. V. 53 (9). P. 2207
  10. Kuroda M. et al. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 093 703
  11. David A. Deen, David F. Storm, David J. Meyer et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 093 503
  12. Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, Nathalie Rolland et al. // Appl. Phys. Express. 2014. V. 7 (3). P. 034 103
  13. Zhuravlev K., Malin T., Trubina S. et al. // Phys. Status Solidi C. 2013. V. 10 (3). P. 311--314
  14. Журавлев К.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Парнес Я.М. // 25-я Международная конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". Севастополь, Крым, Россия. Сентябрь 2015. С. 598--599
  15. Jardel O., De Groote F., Charbonniaud C. et al. // IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig. Honolulu. HI. Jun. 2007. P. 601--604

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.