"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Функция распределения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по длине
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский Академический университет, Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

На основе адсорбционно-диффузионной модели роста проведен анализ функции распределения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по длине. Показано, что асимптотическое распределение имеет вид гауссиана. Если диффузионный поток на вершину осуществляется со всей боковой поверхности, то средняя длина как функция времени увеличивается экспоненциально, а среднеквадратичное отклонение пропорционально средней длине (экспоненциальный режим роста). Если диффузионный сбор адатомов происходит только с верхней части кристалла, то средняя длина увеличивается линейно, а среднеквадратичное отклонение равно квадратному корню из средней длины (линейный пуассоновский режим роста). В реальных системах переход от экспоненциального к пуассоновскому росту происходит при длинах порядка диффузионной длины адатомов. Фактически разброс распределения устанавливается на экспоненциальной стадии. Дана общая классификация распределений по длине различных кристаллов. Показано, что самоиндуцированные GaN- и Ga-каталитические III-V нитевидные нанокристаллы должны быть более однородны, чем Au-каталитические.
  1. Dubrovskii V.G. // Nucleation theory and growth of nanostructures. Heidelberg; N.Y.; Dordrecht; London: Springer, 2014
  2. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 16. С. 41
  3. Harmand J.C., Glas F., Patriarche G. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. P. 235 436
  4. Froberg L.E., Seifert W., Johansson J. // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. P. 153 401
  5. Plante M.C., LaPierre R.R. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. P. 114 304
  6. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Suris R.A. et al. // Surf. Sci. 2007. V. 601. P. 4395
  7. Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V. et al. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 289. P. 31
  8. Dubrovskii V.G. // Phys. Stat. Sol. (b). 1992. V. 171. P. 345
  9. Debnath R.K., Meijers R., Richter T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 123 117
  10. Consonni V., Dubrovskii V.G., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 155 313
  11. Glas F., Ramdani M.R., Patriarche G. et al. // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. P. 195 304
  12. Matteini F., Dubrovskii V.G., Ruffer D. et al. // Nanotechnology. 2015. V. 26. P. 105 603
  13. Wen C.Y., Tersoff J., Hillerich K. et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 107. P. 025 503
  14. Glas F. // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. P. 125 406
  15. Dubrovskii V.G. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. P. 195 426
  16. Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Cirlin G.E. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2004. V. 241. P. R30
  17. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. // Phys. Rev. E. 2015. V. 91. P. 042 408
  18. Дубровский В.Г. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 4. С. 79
  19. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // Prog. Surf. Sci. 1996. V. 51. P. 1
  20. Dubrovskii V.G., Consonni V., Geelhaar L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 153 101

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.