Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 11 » Статья стр. 73
<<<>>>
Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO2, полученных методом прямого сращивания
Гисматулин A.A.1,2, Камаев Г.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: anjgis@yandex.ru
Поступила в редакцию: 4 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
PDF версия
Представлены результаты экспериментальных исследований диодных структур n++-p++-Si со встроенным на границу раздела туннельно-тонким SiO2 с нанокластерами Si, полученных методом прямого сращивания. Выявлено наличие мемристорного эффекта с биполярным режимом переключения. Введение в диэлектрик нанокластеров Si понижает случайный характер возникновения проводящего канала. На ВАХ наблюдаются промежуточные метастабильные состояния, что может оказаться важным для мультибитного хранения данных.
  1. Borghetti J., Snider G.S., Kuekes P.J., Yang J.J., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2010. V. 464. P. 873--876
  2. Joshua J. Yang, Dmitri B. Strukov, Duncan R. Stewart // Nature Nanotechnol. 2013. V. 8. P. 13--24
  3. Chua L.O. // Appl. Phys. A. 2011. V. 102. P. 765--783
  4. Храповицкая Ю.В., Маслова Н.Е., Занавескин М.Л. // Наука и образование. 2013. N 12. С. 329--366
  5. Jae Sung Lee, Shinbuhm Lee, Tae Won Noh // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. P. 031 303
  6. Chen J.-Y., Hsin C.-L., Huang C.W., Chiu C.-H., Huang Y.-T., Lin S.-J., Wu W.-W., Chen L.-J. // Nano Lett. 2013. V. 13. P. 3671
  7. Gun Hwan Kim, Jong Ho Lee, Jeong Hwan Han et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 213 508
  8. O'Kelly C., Fairfield J.A., Boland J.J. / ACS Nano. 2014. V. 8. Iss. 11. P. 11 724--11 729
  9. Аверкин С.Н., Валиев К.А., Мяконьких А.В. и др. // Труды Физико-технологического института РАН. 2005. T. 18. С. 121--137
  10. Антоненко А.Х., Володин В.А., Ефремов М.Д., Зазуля П.С., Камаев Г.Н., Марин Д.В. // Автометрия. 2011. Т. 45. N 5. С. 52--58
  11. Камаев Г.Н., Ефремов М.Д., Антоненко А.Х., Володин В.А., Аржанникова С.А., Марин Д.В., Гисматулин А.А. // Вестник НГУ. Сер.: Физика. 2011. Т. 6. В. 4. С. 107--114

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme