Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Cолнечно-слепые AlxGa1-xN (x>0.45) p-i-n-фотодиоды с поляризационно-легированным p-эмиттером
Кузнецова Н.В.1, Нечаев Д.В.1, Шмидт Н.М.1, Карпов С.Ю.2, Ржеуцкий Н.В.3, Земляков В.Е.4, Кайбышев В.Х.1, Казанцев Д.Ю.1, Трошков С.И.1, Егоркин В.И.4, Бер Б.Я.1, Луценко Е.В.3, Иванов С.В.1, Жмерик В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
4Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
4Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
Email: kuznetsova@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
Исследовано поляризационное p-легирование слоев AlGaN с высоким содержанием Al во время их роста плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией. Продемонстрирована необходимость задания градиента молярной доли AlN в AlGaN на уровне 0.005 nm-1 (градиент состава) для достижения дырочной концентрации на уровне ~ 1018 cm-3 (измеренной C-V-методом) в слоях AlxGa1-xN:Mg (x=0.52-0.32) c концентрацией примеси [Mg]=1.3· 1018 cm-3. Применение таких слоев в качестве p-эмиттеров в p-i-n-фотодиодах на основе гетероструктур AlGaN позволило получить максимальные значения фоточувствительности в солнечно-слепом диапазоне (lambda=281 nm) 35 (48) mA/W при обратных смещениях U=0 (-5) V и плотность темнового тока 3.9· 10-8 A/cm2 при -5 V.
- Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Яковлева Н.И., Кравченко Н.В., Седнев М.В., Смирнов Д.В., Иродов Н.A. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1. В. 3 С. 344
- Yasan A., McClintock R., Darvish S., Mi K., Razeghi M. // SPEE Proc. 2001. V. 4650. P. 219
- Komissarova T.A., Jmerik V.N., Mizarov A.M., Shmidt N.M., Ber B.Y., Kasantsev D.Y., Ivanov S.V. // Phys. Status Solidi. 2009. V. 6. N S2. P. S466
- Namkoong G., Trybus E., Lee K.K., Moseley M., Doolittle W.A., Look D.C. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. N 17. P. 172--112
- Simon J., Protasenko V., Lian C., Xing H., Jena D. // Science. 2010. V. 1. N 5961. P. 60
- Li S., Zhang T., Wu J., Yang Y., Wang Z., Wu Z., Chen Z., Jiang Z. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 102. N 6. P. 062 108
- Khokhlev O.V., Bulashevitch K.A., Karpov S.Y. // Phys. Status Solidi. Appl. Mater. Sci. 2013. V. 210. N 7. P. 1369
- Jena D., Simon J., Wang A., Cao Y., Goodman K., Verma J., Ganguly S., Li G., Karda K., Protasenko V., Lian C., Kosel T., Fay P., Xing H. // Phys. Status Solidi. A. 2011. V. 208 N 7. P. 1511
- Nechaev D.V., Aseev P.A., Jmerik V.N., Brunkov P.N., Kuznetsova Y.V., Sitnikova A.A., Ratnikov V.V., Ivanov S.V. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 378. P. 319
- Jmerik V.N., Lutsenko E.V., Ivanov S.V. // Phys. Status Solidi. 2013. V. 210. N 3. P. 439
- Zhao D.G., Zhang S., Jiang D.S. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. N 5. P. 053 701
- Cicek E., Mcclintock R., Cho C.Y., Rahnema B., Razeghi M. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 191 108.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
