Определение топологических параметров лазера с пассивной синхронизацией мод на основе гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
Министерство образования и науки РФ , Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014−2020 годы», 14.578.21.0100
Михайловский Г.А.
1, Полухин И.С.
1, Рыбалко Д.А.
1, Соловьев Ю.В.
1, Одноблюдов М.А.
11Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: m_grigori@mail.ru, ivanpolukhin@yandex.ru, dimarybalko91@gmail.com, yurysol@ya.ru, maxim.odnoblyudov@spbstu.ru
Поступила в редакцию: 1 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Определены топологические размеры лазера полосковой конструкции с пассивной синхронизацией мод на основе гетероструктуры InGaAlAs/InGaAs/InP из условия существования одной поперечной моды в полосковом волноводе. Ширина полоска составила 1.5 mum, глубина травления мезы - 1.32 mum, толщина слоя диэлектрика 0.36 mum.
- Valley G.C. // Opt. Express. 2007. V. 15. P. 1955--1982
- Khilo A, Spector S.J., Matthew E. et al. // Opt. Express. 2012. V. 20. P. 4454--4469
- Hou L., Haji M., Marsh J.H., Bryce A.C. // Opt. Express. 2011. V. 19. P. B75--B80
- Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits / Milan L. Mashanovitch, Scott W. Corzine, Larry A. Coldren. Wiley, 2012
- Батрак Б.В., Плисюк С.А. // Квантовая электроника. 2006. Т. 36. N 4. С. 349--352
- Поповичев В.В., Давыдова Е.И., Мармалюк М.А. и др. // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. N 12. С. 1099--1104
- Иванов А.В., Курносов В.Д., Курносов К.В. и др. // Квантовая электроника. 2007. Т. 37. N 6. С. 545--548
- Kischkat J., Peters S., Gruska B. et. al. // Appl. Opt. 2012. V. 51. P. 6789--6798
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
