Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 9 » Статья стр. 40
<<<>>>
Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs
Байдакова М.В.1,2, Кириленко Д.А.1,2, Ситникова А.А.1, Яговкина М.А.1, Климко Г.В.1, Сорокин С.В.1, Седова И.В.1, Иванов С.В.1, Романов А.Е.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: baidakova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
PDF версия
Предложен метод диагностики толстых (1 mum и более) градиентных слоев с переменным составом и степенью релаксации по глубине слоя, основанный на анализе карт рассеянной рентгеновской интенсивности в обратном пространстве в сопоставлении с профилированием параметров кристаллической решетки по глубине методом электронной микродифракции. Информативность предложенной диагностики продемонстрирована на примере слоя InxGa1-xAs/GaAs с линейным изменением x по глубине. Комплексное представление дифракционных данных в виде профилированной по глубине карты обратного пространства позволяет учесть дополнительную релаксацию, возникающую при утонении образцов для электронно-микроскопических исследований.
  1. Pietsch U., Holy V., Baumbach T. High-Resolution X-ray Scattering. From Thin films to Lateral nanostructures. N. Y.: Springer-Verlag, 2004. 408 p
  2. Heinke H., Mo1ler M.O., Hommel D. et al. // J. Crystal Growth. 1994. V. 135. P. 41
  3. Hirsh P.B., Howie A., Nicolson R.B. et al. Electron microscopy of thin crystals. London: Butterworths, 1965. 574 р
  4. Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. / Пер. с англ. И.Л. Шульпина и Т.С. Аргунова. Санкт-Петербург: Наука, 2002. 274 с
  5. Fewster P.F. X-ray scattering from semiconductors. 2ed ed. London: Imperial College press, 2003. 299 p
  6. Сорокин С.В., Климко Г.В., Седова И.В. et al. Молекулярно-пучковая эпитаксия метаморфных буферных слоев Inx Ga1-xAs/GaAs с линейным градиентом состава / 10 Belarusian-Russian Workshop "Semiconductor Lasers and Systems". Minsk, Belarus, 2015. Минск: Изд-во "Ковчег", 2015. P. 196
  7. Kirilenko D., Sitnikova A., Sorokin S.V. et al. Correlation of strain evolution with dislocations distribution in metamorphic InGaAs/GaAs heterostructures observed by combination of diffraction techniques / Proc. Microscopy Conference 2015. Germany: Gottingen, 2015

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme