Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 8 » Статья стр. 70
<<<>>>
Сегнетоэлектрические пленки титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния
Российский научный фонд, 15-19-10049
Тумаркин А.В.1, Разумов С.В.1, Гагарин А.Г.1, Одинец А.А.1, Михайлов А.К.1,2, Стожаров В.М.3, Сенкевич С.В., Травин Н.К.4, Пронин И.П.5
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Дагестанский государственный университет, Республика Дагестан, Махачкала Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург
3Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: avtumarkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
PDF версия
Тонкие слои BaxSr1-xTiO3 впервые выращены на подложке полуизолирующего карбида кремния методом высокочастотного магнетронного распыления керамической мишени без использования буферных подслоев. Представлены результаты исследований структуры сегнетоэлектрических пленок и электрофизических характеристик планарных конденсаторов на их основе. Полученные образцы характеризуются высокой нелинейностью и низким уровнем диэлектрических потерь на сверхвысоких частотах.
  1. Gevorgian S. // IEEE Microwave Magazine. 2009. V. 10. Iss. 5. Art. N 5185529. P. 93--98
  2. Вендик О.Г. // ФТТ. 2009. V. 51. C. 1441
  3. Вендик О.Г., Парнес М.Д. Антенны с электрическим сканированием. Введение в теорию / Под ред. Л.Д. Бахраха. М.: Сайнс-Пресс, 2002. 232 с
  4. Soldatenkov O., Samoilova T., Ivanov A., Kozyrev A., Ginley D., Kaydanova T. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 232 901
  5. Jae-Sang Lee, Yeong-Deuk Jo, Jung-Hyuk Koh et al. // J. Korean Phys. Soc. 2010. V. 57. N 6. P. 1889--1892
  6. Lirong Song, Ying Chen, Genshui Wang et al. // J. Am. Ceram. Soc. 2014. V. 97 (10). P. 3048--3051
  7. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. // J. Cryst. Growth. 1978. V. 43. P. 209--212
  8. Mokhov E.N., Shulpina I.L., Tregubova A.S., Vodakov Yu.A. // Cryst. Res. Technol. 1981. V. 16. P. 879--890
  9. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N., Mokhov E.N., Ramm M.G., Ramm M.S., Roenkov A.D., Talalaev R.A., Vodakov Yu.A. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. P. 408--416
  10. Вьюгинов В.Н., Травин Н.К., Венедиктов О.В., Коровкина М.М., Цацульников А.Ф., Лундин В.В. // Сб. ст. IV Всероссийской конференции "Электроника и микроэлектроника СВЧ". СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2015. С. 79--81
  11. Вьюгинов В.Н., Уланова Т.А., Григорьев А.Д. // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2013. N 3. С. 80--87
  12. Тумаркин А.В., Тепина Е.Р., Ненашева Е.А., Картенко Н.Ф., Козырев А.Б. // ЖТФ. 2012. Т. 82. В. 6. С. 53--58
  13. Тумаркин А.В., Альмяшев В.И., Разумов С.В., Гайдуков М.М., Гагарин А.Г., Алтынников А.Г., Козырев А.Б. // ФТТ. 2015. Т. 3. С. 540--551
  14. Вольпяс В.А., Козырев А.Б. // ЖЭТФ. 2011. Т. 140. В. 1 (7). С. 196--204
  15. Козырев А.Б., Гайдуков М.М., Гагарин А.Г., Алтынников А.Г., Разумов С.В., Тумаркин А.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 13. C. 1--7

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme