Фотолюминесценция пленок Ta2O5, формируемых методом молекулярного наслаивания
Барабан А.П.1, Дмитриев В.А.1, Прокофьев В.А.
1, Дрозд В.Е.1, Филатова Е.О.1
1Санкт-Петербургский государственный университет
Email: bobapro@ya.ru
Поступила в редакцию: 17 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Пленки Ta2O5 различной толщины (20-100 nm), синтезированные методом молекулярного наслаивания на подложках кремния Si p-типа и термически окисленного кремния, изучены методами высокочастотных вольт-фарадных характеристик и фотолюминесценции (ФЛ). Установлено формирование канала дырочной проводимости в системе Si-Ta2O5-полевой электрод. Предложена модель электронного строения пленок Ta2O5 на основе анализа измеренных спектров ФЛ и проведенных электрофизических исследований.
- Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. Диэлектрики в наноэлектронике. Новосибирск: Изд. СО РАН, 2010. 258 с
- Перевалов Т.В., Гриценко В.А. // УФН. 2010. Т. 180. N 6. С. 587--603
- Drozd V.E., Baraban A.P., Nikiforova I.O. // Appl. Surf. Sci. 1994. V. 83. P. 583--586
- John Robertson, Robert M. Wallace // Mater. Sci. Eng. R. 2015. V. 88. P. 1--41
- Барабан А.П., Дмитриев В.А., Матвеева О.П., Прокофьев В.А. // Вестн. С.-Петерб. ун-та. Сер. 4. 2012. В. 4. С. 49--53
- Baraban A.P., Dmitriev V.A., Petrov Yu.B., Timofeeva K.A. // Semiconductors. 2013. V. 47. N 13. P. 1711--1714
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук