Вышедшие номера
Фотолюминесценция пленок Ta2O5, формируемых методом молекулярного наслаивания
Барабан А.П.1, Дмитриев В.А.1, Прокофьев В.А. 1, Дрозд В.Е.1, Филатова Е.О.1
1Санкт-Петербургский государственный университет
Email: bobapro@ya.ru
Поступила в редакцию: 17 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Пленки Ta2O5 различной толщины (20-100 nm), синтезированные методом молекулярного наслаивания на подложках кремния Si p-типа и термически окисленного кремния, изучены методами высокочастотных вольт-фарадных характеристик и фотолюминесценции (ФЛ). Установлено формирование канала дырочной проводимости в системе Si-Ta2O5-полевой электрод. Предложена модель электронного строения пленок Ta2O5 на основе анализа измеренных спектров ФЛ и проведенных электрофизических исследований.