Модель формирования осевых гетероструктур в III-V нитевидных нанокристаллах
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский Академический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Email: Dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Предложена кинетическая модель формирования осевых гетероструктур в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений III-V, выращиваемых по механизму "пар-жидкость-кристалл". Сформулирована общая система нестационарных уравнений для эффективных потоков двух элементов одной группы (например, группы III), позволяющая рассчитывать профиль состава гетероструктуры в зависимости от координаты и условий эпитаксиального роста, в том числе от потока группы V. В линейном приближении найдены времена релаксации состава, определяющие резкость гетерограницы. Остановка потоков при переключении элементов на время, превосходящее данные времена релаксации, должна приводить к увеличению резкости гетерограницы. Проведены расчеты профиля состава в двойной гетероструктуре GaAs/InAs/GaAs в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла.
- Zhang X., Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. et al. // Cryst. Growth Des. 2011. V. 11. P. 5441
- Koblmuller G., Abstreiter G. // Phys. Stat. Sol. RRL. 2013. V. 1. P. 20
- Ghalamestani S.G., Ek M., Ghasemi M. et al. // Nanoscale. 2014. V. 6. P. 1086
- Bjork M.T., Ohlsson B.J., Saas T. et al. // Nano Lett. 2002. V. 2. P. 87
- Tchernycheva M., Cirlin G.E., Patriarche G. et al. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 1500
- Priante G., Patriarche G., Oehler F. et al. // Nano Lett. 2015. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02224
- Periwal P., Sibirev N.V., Patriarche G. et al. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 5140
- Сибирев Н.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 5. С. 1
- Dubrovskii V.G., Nazarenko M.V. // J. Chem. Phys. 2010. V. 132. P. 114 507
- Ghasemi M., Sundman B., Fries S.G. et al. // J. Alloys Compd. 2014. V. 600. P. 178
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Suris R.A. et al. // Surf. Sci. 2007. V. 601. P. 4395
- Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V. et al. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 289. P. 31
- Consonni V., Dubrovskii V.G., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 155 313
- Dubrovskii V.G. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. P. 053 110
- Priante G., Ambrosini S., Dubrovskii V.G. et al. // Cryst. Growth Des. 2013. V. 13. P. 3976
- Dubrovskii V.G. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. P. 195 426
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 1994. Т. 36. С. 1258
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. Chem. Solids. 1995. V. 56. P. 831
- Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Cirlin G.E. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2004. V. 241. P. R30
- Сибирев Н.В., Тимофеева М.А., Большаков А.Д. и др. // ФТТ. 2010. Т. 52. С. 1428
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук