Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 6 » Статья стр. 70
<<<>>>
Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния
Саченко А.В.1, Крюченко Ю.В.1, Костылев В.П.1, Коркишко P.М.1, Соколовский И.О.1, Абрамов А.С.2, Аболмасов С.Н.2, Андроников Д.А.2, Бобыль А.В.3, Панайотти И.Е.3, Теруков Е.И.2,3, Титов А.С.3, Шварц М.З.3
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 11 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
PDF версия
В широком температурном интервале от 80 до 420 K измерены температурные зависимости фотоэлектрических характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе монокристаллического кремния (p)a-Si/(i)a-Si:H/(n)c-Si. Напряжение холостого хода (VOC), фактор заполнения (FF) вольт-амперной характеристики (ВАХ) и максимальная выходная мощность (Pmax) достигают предельных значений при 200-250 K, на фоне монотонного роста тока короткого замыкания в диапазоне температур от 80 до 400 K. При более низких температурах происходит их уменьшение. Теоретически обосновано, что снижение показателей фотоэлектрического преобразования энергии при нагреве структуры от 250 до 400 K связано с экспоненциальным ростом собственной проводимости. При температурах ниже 200 K обнаружено изменение формы ВАХ, приводящее к падению VOC. Обсуждены возможные причины уменьшения VOC, FF и Pmax.
  1. Masuko K., Shigematsu M., Hashiguchi T. et al. // IEEE J. Photovoltaics. 2014. V. 4. N 6. P. 1433
  2. Shockey W., Queisser H.J. // J. Appl. Phys. 1961. V. 32. P. 510
  3. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965. 448 с
  4. Горбань А.П., Зуев В.А., Костылев В.П., Саченко А.В., Серба А.А., Черненко В.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2001. В. 36. С. 161--165
  5. Саченко А.В., Шкребтий А.И., Коркишко Р.М., Костылев В.П., Кулиш Н.Р., Соколовский И.О. // ФТП. 2015. Т. 49. B. 2. С. 271--277
  6. Саченко А.В., Крюченко Ю.В., Бобыль А.В., Костылев В.П., Теруков Е.И., Богданов Д.А., Панайотти И.Е., Соколовский И.О., Орехов Д.Л. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 10. С. 42--49
  7. Саченко А.В., Крюченко Ю.В., Костылев В.П., Соколовский И.О., Абрамов А.С., Бобыль А.В., Панайотти И.Е., Теруков Е.И. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 2. С. 259
  8. Donnelly J.P., Milnes A.G. // Proc. IEEE. 1966. V. 113. P. 1468--1476
  9. Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. Third ed. John Wiley and Sons, 2007

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme