Роль кристаллографической анизотропии в формировании структуры имплантированных слоев монокристаллов NiTi
Полетика Т.М.
1, Мейснер Л.Л.
1,2, Гирсова С.Л.
1, Твердохлебова А.В.
1, Мейснер С.Н.
1,21Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: poletm@ispms.tsc.ru, girs@ispms.tsc.ru, a@vtverd.ru, msn@ispms.tsc.ru
Поступила в редакцию: 1 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Методом оже-электронной спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы состав и структура имплантированных слоев Si монокристаллов NiTi, различно ориентированных относительно направления ионно-пучкового воздействия. Выявлена роль "мягкой" [111]B2 и "жесткой" [001]B2 ориентаций NiTi в формировании структуры ионно-модифицированного поверхностного слоя, а также дефектной структуры приповерхностных слоев монокристаллов.
- Liu X., P.K. Chu, Ding C. // Mater. Sci. Eng. R. 2010. V. 70. P. 275
- Pogrebnjak A.D., Bratushka S.N. // Russian Chem. Rev. 2013. V. 82. P. 1135
- Schaffer J.E. // J. Mater. Eng. Perform. 2009. V. 18. P. 582
- Meisner S.N. // Russ. Phys. J. 2014. V. 57. P. 403
- Czeppe T., Levintant-Zayonts N., Swiatek Z. at al. // Vacuum. 2009. V. 83. P. S214
- Shabalovskaya S., Tian H., James W. at al. // Biomaterials. 2009. V. 30. P. 468
- Sputtering by Particle Bombardment / Ed. by R. Behrisch. Berlin: Springer, 1983. 488 p
- Saraf L.V. // Methods Phys. Res. Sect. B. 2015. V. 349. P. 193
- Gall K., Sehitoglu H., Chumlyakov Y.I., Kireeva I.V. // Acta Mater. 1999. V. 47. P. 1203
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
