Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл-диэлектрик-полупроводник
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород
2Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
В структурах металл-диэлектрик-полупроводник на основе арсенида галлия и кремния с тонкой пленкой (толщиной 40 nm) диоксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия, обнаружены особенности явления неравновесного обеднения, которые проявляются в скачкообразных изменениях тока при изменении напряжения и могут привести к расширению областей применения этого явления в микроэлектронной технике.
- Кравченко A.Ф. Физические основы функциональной электроники: Учеб. пособие / Новосибирск: Изд-во Новосибирского ун-та, 2000. 444 с
- Секен К. Приборы с переносом заряда / К. Секен, М. Томпсет. М.: Мир, 1978. 327 с
- Приборы с зарядовой связью / Под ред. М. Хоуза, Д. Моргана. М.: Энергоатомиздат, 1991. 376 с
- Wilk D., Wallace R.M., Anthony J.M. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5243--5275
- Kundu Souvik, Halder N. Nripendra, Biswas D. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. P. 034 514 (1--7)
- Аксенов М.С., Валишева Н.А., Левцова Т.А. и др. // ФТП. 2014. T. 48. В. 3. C. 322--326
- McNeill D., Bhattacharya S., Wadsworth H. et al. // J. Mater. Sci. 2008. V. 19. P. 119--123
- Тихов C.B., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 19. С. 18--26
- Mickel P.R., Lohn A.J., Marinella M.J. // Mod. Phys. Lett. B. 2014. V. 28. N 10. P. 1 430 003 (1--25)
- Тихов C.B., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 23. С. 72--79
- Горшков О.Н., Антонов И.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. B. 3. С. 12--19
- Тихов С.В., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 9--16
- Эпштейн С.Л. Измерение характеристик конденсаторов. 2-е изд. Л.: Энергия, 1971. 218 с
- Захаров А.К., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. // Cвойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под ред. А.В. Ржанова. М.: Наука, 1976. 47 с
- Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1984. 252 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
