Левин Р.В.1,2, Неведомский В.Н.1,2, Пушный Б.В.1,2, Берт Н.А.1,2, Мизеров М.Н.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru; pushnyi@vpegroup.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.
Экспериментально показана возможность изготовления сверхрешеток на основе InAs/GaSb с напряженными слоями методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследования изготовленной структуры методами просвечивающей микроскопии и фотолюминесценции показали, что получена сверхрешетка InAs-GaSb на подложке GaSb с толщинами слоев InAs 2 nm и GaSb 3.3 nm.
- Тарасов В.В., Якушенков Ю.Г. Современные проблемы инфракрасной техники. М.: Изд. МИИГА и К, 2011. 84 с
- Georgy G. Zegrya, Aleksey D. Andreev // Appl. Phys. Let. 1995. V. 67. N 18. P. 2681
- Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды. М.: Физматкнига, 2011. 448 с
- Gautam N., Naydenkov M., Myers S., Barve A.V., Plis E., Rotter T., Dawson L.R., Krishna S. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 121 106
- Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.П., Андреев В.М. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 12. C. 1427--1431
- Wu M.C., Chen C.C. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N 12. P. 8495
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
