"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона
Иванов М.С.1, Родин П.Б.1, Иванов П.А.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Теоретически оценены параметры сверхбыстрого лавинного переключения высоковольтных диодных структур на основе 4H-SiC. Для расчета применялась аналитическая теория волны ударной ионизации TRAPATT-типа, позволяющая определить основные характеристики волны для произвольных зависимостей коэффициентов ударной ионизации и дрейфовой скорости носителей от электрического поля. Показано, что для высоковольтной (1-10 kV) структуры 4H-SiC время переключения из блокирующего в проводящее состояние составляет ~ 10 ps, что на порядок меньше, чем для структуры Si с таким же напряжением стационарного пробоя, а концентрация созданной волной электронно-дырочной плазмы больше на два порядка. Пикосекундные времена переключения могут быть достигнуты для структур 4H-SiC с напряжением стационарного пробоя более 10 kV.
  1. Kimato T., Cooper J.A. Fundamentals of Silicon Carbide Technology, Growth, Characterization, Devices and Applications. Singapore: Wiley, 2014
  2. Grekhov I.V., Ivanov P.A., Khristyuk D.V., Konstantinov A.O., Korotkov S.V., Samsonova T.P. // Solid-State Electron. 2003. V. 47. P. 1769--1774
  3. Иванов П.А., Грехов И.В. // ФТП. 2012. Т. 46. N 4. P. 544--547
  4. Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 15. С. 950--953
  5. Focia R.J., Schamiloghu Е., Fleddermann C.B., Agee F.J., Gaudet J. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. V. 25. P. 138--144
  6. Kardo-Sysoev A.F. // Ultra-Wideband Radar Technol. Ed. Taylor J.D. Boca Raton, London, New York, Washington: CRS Press, 2001
  7. Levinshtein M., Kostamovaara J., Vainshtein S. // Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices. London: World Scientific, 2005
  8. Deloach В.С., Schargfetter D.L. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1970. V. ED-17. N 1. P. 9--21
  9. Rodin P., Ivanov P., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. P. 044 503 (1--5)
  10. Дьяконов М.И., Качоровский В.Ю. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. С. 321
  11. Кюрегян А.С. // ФТП. 2007. Т. 41. B. 6. C. 762--767
  12. Rodin P., Ebert U., Minarsky А., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 034 508 (1--5)
  13. Брылевский В.И., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 8. С. 80--87
  14. Брылевский В.И., Рожков А.В., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 7. С. 1--7
  15. Hatakeyama T., Watanabe T., Shinohe T., Kojima K., Arai K., Sano N. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 8. P. 1380--1382
  16. Кузьмин В.А., Крюкова Н.Н., Кюрегян А.С., Шуман В.Б. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 4. С. 735--739
  17. Galeskas A., Linnros J., Grivickas V., Lindefelt U., Hallin C. // Material Sci. Forum. 1998. V. 264--268. P. 533

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.