Термическая литография тонких пленок диоксида ванадия
Андреев В.Н.1, Климов В.А.1, Компан М.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: v.klimov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 августа 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.
Предложена методика, позволяющая создавать в тонких пленках диоксида ванадия упорядоченные группы микрообластей с резко различающимися оптическими и электрическими свойствами. Методика основана на отжиге тонких пленок в вакууме, приводящем к выходу кислорода из диоксида ванадия с образованием в нем кислородных вакансий.
- Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1979. 183 с
- Cavalleri A., Toth Cs., Siders G.W., Squier J.A. // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. N 23. P. 237 401
- Danilov O.B., Belousov V.P., Belousova I.M. // Proc. SPIE. 1998. V. 3263. P. 124
- Данилов О.Б., Климов В.А., Михеева О.П., Сидоров А.И., Тульский С.А., Шадрин Е.Б., Ячнев И.Л. // ЖТФ. 2003. V. 73. B. 1. P. 79
- Ильинский А.В., Давыдов В.Ю., Кастро Р.А., Квашенкина О.Е., Пашкевич М.Э., Шадрин Е.Б. // Письма в ЖТФ. 2013. T. 39. В. 15. С. 78
- Алиев Р.А., Андреев В.Н., Климов В.А., Лебедев В.М., Никитин С.Е., Теруков Е.И., Шадрин Е.Б. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 6. С. 81
- Zhang S., Kim I.S., Lauhon L.J. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 1443
- Griffiths C.H., Eastwood H.K. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 2201
- Андреев В.Н., Климов В.А. // ФТТ. 2013. V. 55. P. 1717
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.