"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Детектирование сверхвысокочастотного излучения на контактах металл- пористый кремний
Градаускас Й.1,2, Ступакова Й.1, Сужеделис А.1,2, Самуолене Н.1
1Вильнюсский им. Гядиминаса технический университет, L, Вильнюс, Саулетё 11, Литва
2Центр физических и технологических наук, L, Вильнюс, Гоштауто 11, Литва
Поступила в редакцию: 1 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Исследовано возникновение электродвижущей силы на омических и не омических контактах металл-пористый кремний при их облучении электромагнитным излучением 10 GHz частоты. На контактах разного типа генерируется ЭДС противоположной полярности и разной скорости роста (спада). Рост ЭДС на потенциальных барьерах контактов объяснен моделью разогрева носителей заряда СВЧ-полем. Показано, что применение пористого полупроводникового слоя содержит перспективу увеличения вольт-ваттной чувствительности СВЧ детектора, а также возможность избежания эффектов точечного контакта.
  • Turner D.R. // J. Electrochem. Soc. 1958. V. 105. N 7. P. 402
  • Fang H., Li X., Song S., Xu Y., Zhu J. // Nanotechnology. 2008. V. 19. N 25. P. 5703
  • Garnett E.C., Yang P. // J. Am. Chem. Soc. 2008. V. 130. P. 9224
  • Шатковскис Э., Миткявичюс Р., Загадский В., Ступакова И. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 21. С. 23
  • Peng K., Jie J., Zhang W., Lee S.T. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 033 105
  • Zhang B., Wang H., Lu L., Ai K., Zhang G., Cheng X. // Adv. Funct. Mater. 2008. V. 18. P. 2348
  • Hochbaum A.I., Chen R., Delgado R.D., Liang W., Garnett E.C., Najarian M., Majumdar A., Yang P. // Nature. 2008. V. 451. P. 163
  • Ben-Chorin M., Moller F., Koch F. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. N 4. P. 2199
  • Stupakova J., Av smontas S., Gradauskas J., Zagadskij V., Shatkovskis E., Suv ziedelis A. // Acta Phys. Pol. A. 2006. V. 110. N 6. P. 817
  • Av smontas S., Gradauskas J., Zagadsky V., Stupakova J., Suziedelis A., Shatkovskis E. // Tech. Phys. Lett. 2006. V. 32. P. 603
  • Ашмонтас С. Электроградиентные явления в полупроводниках. Вильнюс: Мокслас, 1984. С. 183
  • Гуога В.И., Пожела Ю.К. // Радиотехника и электроника. 1969. Т. 14. В. 3. С. 565
  • Ашмонтас С.П., Олекас А.П. // ФТП. 1980. Т. 14. В. 11. С. 2196
  • Банис Т.Я., Вебра А.И., Пожела Ю.К., Репшас К.К., Шилальникас В.И. // Радиотехника и электроника. 1962. Т. 7. В. 9. С. 1519
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.