"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен антимонида индия
Жуков Н.Д.1, Глуховской Е.Г.1, Мосияш Д.С.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

На туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида индия исследованы спектры плотности и параметры уровней электронных состояний. Методом соответствия вольт-амперных характеристик и формулы для вероятности эмиссии через уровни найдены значения энергии их активации (psi) и времени жизни (tau) электронов на них. Идентифицированы несколько уровней электронной локализации в приповерхностной зоне микрозерна i-InSb с параметрами: psi~ 0.73, 1.33, 1.85, 2.15, 5.1 eV; tau~ 5· 10-8-3· 10-7 s. Предложена физическая модель --- локализация "легких" электронов за счет кулоновского взаимодействия и их размерное квантование в приповерхностной зоне, определяемое эффективной массой, энергией, концентрацией электронов, радиусом кривизны поверхности микрозерна.
  1. Кубальчинский В.А. // СОЖ. 2001. Т. 7. N 4. С. 98--104
  2. Баграев Н.Т., Буравлёв А.Д., Клячкин Л.Е. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 6. С. 716--728
  3. Thornton T.J. // Rep. Progr. Phys. 1994. V. 57. P. 311--364
  4. Kuo C.-H., Wu J.-M., Lin S.-J. // Nanoscale Res. Lett. 2013. V. 8 (69). P. 2--8
  5. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Жуков Н.Д. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 12. С. 8--14
  6. Глуховской Е.Г., Жуков Н.Д. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 14. С. 47--53
  7. Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г. // Нанотехника. 2014. N 2 (38). С. 127--131
  8. Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г. // Тез. докл. Х научно-практической конференции "Нанотехнологии --- производству". М.: Изд-во "Янус-К", 2014. С. 144
  9. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Нижний Новгород: Институт физики микроструктур РАН, 2004. 110 с
  10. Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. СПб.: Наука, 2001. 52 c
  11. Егоров Н.В., Шешин Е.П. Автоэлектронная эмиссия. М.: Интеллект, 2011. 703 c
  12. Tersoff J. // Phys. Rev. 1989. V. 40. P. 11 990
  13. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.