"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Модель селективного роста III-V нитевидных нанокристаллов
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский Академический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Email: Dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Предложена кинетическая модель роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V, включая нитридные, в отсутствие металлического катализатора, что соответствует методам селективной эпитаксии или самоиндуцированного роста. Получено стационарное решение для скорости удлинения нитевидного нанокристалла, показывающее, что рост может лимитироваться не только кинетикой элемента группы III с учетом поверхностной диффузии (как это считалось ранее), но и потоком элемента группы V. Разные режимы характеризуются принципиально различными зависимостями скорости удлинения от радиуса нитевидного нанокристалла. В условиях, обогащенных по мышьяку, наблюдается типичная зависимость с максимумом и убыванием при больших радиусах, лимитированным диффузией адатомов галлия. В условиях, обогащенных по галлию, происходит переход к фактически не зависящей от радиуса скорости роста, линейно возрастающей с увеличением потока мышьяка.
  1. Hamano T., Hirayama H., Aoyagi Y. // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2. 1997. V. 36. P. L286
  2. Akabori M., Takeda J., Motohisa J. et al. // Nanotechnology. 2003. V. 14. P. 1071
  3. Noborisaka J., Motohisa J., Fukui T. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 213 102
  4. Poole P.J., Lefebvre J., Fraser J. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 83. P. 2055
  5. Gao Q., Saxena D., Wang F. et al. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 5206
  6. Galopin E., Largeau L., Patriarche G. et al. // Nanotechnology. 2011. V. 22. P. 245 606
  7. Consonni V., Dubrovskii V.G., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 155 313
  8. Dubrovskii V.G., Consonni V., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 165 317
  9. Dubrovskii V.G., Consonni V., Geelhaar L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 153 101
  10. Ng K.W., Ko W.S., Tran D.T.T. et al. // ACS Nano. 2013. V. 7. P. 100
  11. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Zhang X. et al. // Cryst. Growth Des. 2010. V. 10. P. 3949
  12. Цырлин Г.Э., Дубровский B.Г., Сибирев Н.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 587
  13. Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Cirlin G.E. et al. // Phys. Stat. Sol. (B). 2004. V. 241. P. R30
  14. Сибирёв Н.В., Тимофеева М.А., Большаков А.Д. и др. // ФТТ. 2010. Т. 52. С. 1428
  15. Priante G., Ambrosini S., Dubrovskii V.G. et al. // Cryst. Growth Des. 2013. V. 13. P. 3976
  16. Dubrovskii V.G. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. P. 053 110
  17. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // Prog. Surf. Sci. 1996. V. 51. P. 1
  18. Dubrovskii V.G. // Phys. Stat. Sol. (B). 1992. V. 171. P. 345
  19. Gil E., Dubrovskii V.G., Avit G. et al. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 3938
  20. Dubrovskii V.G. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. P. 195 426

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.