Вышедшие номера
Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP2 на кремниевой подложке
Кудряшов Д.А.1, Гудовских А.С.1, Можаров А.М.1, Большаков А.Д.1, Мухин И.С.1, Алфёров Ж.И.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: kudryashovda@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Проведен расчет конструкции и режимов работы двухпереходных монолитных решеточно-согласованных солнечных элементов (СЭ) на основе системы материалов ZnSiP2/Si. Определено влияние толщины фотоактивной области и времени жизни неосновных носителей заряда в слоях ZnSiP2 на эффективность преобразования энергии падающего солнечного излучения в электрическую с помощью предлагаемых гетероструктур. Показано, что СЭ на основе гетероструктур ZnSiP2/Si могут достигать КПД 28.8% при AM1.5D 100 mW/cm2 и 33.3% при AM1.5D 200 W/cm2.