"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP2 на кремниевой подложке
Кудряшов Д.А.1, Гудовских А.С.1, Можаров А.М.1, Большаков А.Д.1, Мухин И.С.1, Алфёров Ж.И.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: kudryashovda@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Проведен расчет конструкции и режимов работы двухпереходных монолитных решеточно-согласованных солнечных элементов (СЭ) на основе системы материалов ZnSiP2/Si. Определено влияние толщины фотоактивной области и времени жизни неосновных носителей заряда в слоях ZnSiP2 на эффективность преобразования энергии падающего солнечного излучения в электрическую с помощью предлагаемых гетероструктур. Показано, что СЭ на основе гетероструктур ZnSiP2/Si могут достигать КПД 28.8% при AM1.5D 100 mW/cm2 и 33.3% при AM1.5D 200 W/cm2.
  1. Martin A. Green et al. // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2014. V. 22. P. 1--9
  2. Кудряшов Д.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 3. С. 396--401
  3. Luqued A. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2013. V. 115. P. 138--144
  4. Lantratov V.M. et al. // Adv. Sci. Tech. 2010. V. 74. P. 231--236
  5. Sibghat Ullah et al. // Physica B. 2014. V. 441. P. 94--99
  6. Xing G.C., Bachmann K.J., Posthill J.B.., Timmons M.L. // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. P. 4286--4291
  7. Aaron D., Martinez et al. // IEEE J. Photovolt. 2015. V. 5. P. 17--21
  8. Siegel W., Heinrich A., Ziegler E. // Phys. Stat. Solidi A. 1976. V. 35. P. 269--279
  9. Semiconductors Ternary Compounds, Organic Semiconductors / Ed. O. Magelung, U. Rossler, M. Schulz. // Landolt-Bornstein-Group III // Condens. Matter. 2000. V. 41E

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.