Вышедшие номера
Проявление размерного квантования на выступах шероховатой поверхности полупроводников A3B5
Михайлов А.И.1, Кабанов В.Ф.1, Жуков Н.Д.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: v7021961@yandex.ru
Поступила в редакцию: 17 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Проведено экспериментальное исследование автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности образцов полупроводников группы A3B5: InSb, InAs, GaAs. Показано, что для полупроводниковых образцов InSb и InAs наблюдаемые пики на дифференциальных туннельных ВАХ могут быть интерпретированы как проявление размерного квантования энергетического спектра электронов проводимости. Для GaAs проявления размерного квантования на дифференциальных туннельных ВАХ в условиях эксперимента выявлено не было. По результатам анализа экспериментальных данных проведена оценка характерного размера квантового объекта, сформированного на выступах шероховатой поверхности InSb и InAs.