Вышедшие номера
Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в KH2PO4, внедренном в магнитное пористое стекло
Королева Е.1,2, Набережнов А.1,2, Nizhankovskii V., Ванина П.2, Сысоева А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Исследовано влияние внешнего магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в наночастицах KH2PO4, полученных при введении в макропористое магнитное стекло со средним диаметром пор 50 nm. Показано, что в магнитном поле 10 T температура сегнетоэлектрического перехода повышается примерно на 6 K.