Термовольтаический эффект в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью
Пронин И.А.1,2, Аверин И.А.1, Божинова А.С.2, Георгиева А.Ц.3, Димитров Д.Ц.2, Карманов А.А.1, Мошников В.А.4,5, Папазова К.И.2, Теруков Е.И.6, Якушова Н.Д.1,2
1Пензенский государственный университет, Россия
2Софийский университет "Св. Климент Охридский",, София, Болгария
3Университет Флориды,, Гейнсвилл, США
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Россия
6Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: pronin_i90@mail.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Впервые наблюдался термовольтаический эффект в оксиде цинка. Образцы представляли собой сэндвич-структуры ZnO/ZnO-Me, Me=Cu, Fe, полученные золь-гель методом. В диапазоне 200-300oC возникала ЭДС 1-10 mV.
- Казанин М.М., Каминский В.В., Соловьев С.М. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 5. С. 136--138
- Каминский В.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. В. 3. С. 423--426
- Mott N.F. Metal-Insulator Transition. Taylor and Francis Ltd, 1974. 278 p
- Pronin I.A., Dimitrov D.Tz., Krasteva L.K., Papazova K.I., Averin I.A., Chanachev A.S., Bojinova A.S., Georgieva A.Ts. // Sens. Actuat. A. 2014. V. 206. P. 88--96
- Pronin I.A., Donkova B.V., Dimitrov D.Tz., Averin I.A., Pencheva J.A., Moshnikov V.A. // Semiconductors. 2014. V. 48. P. 842--847
- Крастева Л.К., Димитров Д.Ц., Папазова К.И., Николаев Н.К., Пешкова Т.В., Мошников В.А., Грачева И.Е., Карпова С.С., Канева Н.В. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 4. С. 564--569
- Lyons J.L., Janotti A., Van de Walle C.G // Semiconductors and Semimetals. 2013. V. 88. Ch. 1. 37 p
- Jagadish C., Pearton S.J. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications: Hardcover. 2006. 589 p
- Lin B., Fu Z. // Appl. Phis. Lett. 2001. V. 88. P. 943--945
- Xu L., Li X. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. P. 851--855
- Chen T., Cao L., Zhang W. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. P. 123 715
- He H., Li S., Sun L., Ye Z. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2013. V. 15. P. 7484--7487
- Vai A.T., Kuznetsov V.L., Jain H. et al. // Z. Anorg. Allg. Chem. 2014. V. 640. P. 1054--1062
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
