Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 19 » Статья стр. 22
<<<>>>
Термовольтаический эффект в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью
Пронин И.А.1,2, Аверин И.А.1, Божинова А.С.2, Георгиева А.Ц.3, Димитров Д.Ц.2, Карманов А.А.1, Мошников В.А.4,5, Папазова К.И.2, Теруков Е.И.6, Якушова Н.Д.1,2
1Пензенский государственный университет, Россия
2Софийский университет "Св. Климент Охридский",, София, Болгария
3Университет Флориды,, Гейнсвилл, США
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Россия
6Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: pronin_i90@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
PDF версия
Впервые наблюдался термовольтаический эффект в оксиде цинка. Образцы представляли собой сэндвич-структуры ZnO/ZnO-Me, Me=Cu, Fe, полученные золь-гель методом. В диапазоне 200-300oC возникала ЭДС 1-10 mV.
  1. Казанин М.М., Каминский В.В., Соловьев С.М. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 5. С. 136--138
  2. Каминский В.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. В. 3. С. 423--426
  3. Mott N.F. Metal-Insulator Transition. Taylor and Francis Ltd, 1974. 278 p
  4. Pronin I.A., Dimitrov D.Tz., Krasteva L.K., Papazova K.I., Averin I.A., Chanachev A.S., Bojinova A.S., Georgieva A.Ts. // Sens. Actuat. A. 2014. V. 206. P. 88--96
  5. Pronin I.A., Donkova B.V., Dimitrov D.Tz., Averin I.A., Pencheva J.A., Moshnikov V.A. // Semiconductors. 2014. V. 48. P. 842--847
  6. Крастева Л.К., Димитров Д.Ц., Папазова К.И., Николаев Н.К., Пешкова Т.В., Мошников В.А., Грачева И.Е., Карпова С.С., Канева Н.В. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 4. С. 564--569
  7. Lyons J.L., Janotti A., Van de Walle C.G // Semiconductors and Semimetals. 2013. V. 88. Ch. 1. 37 p
  8. Jagadish C., Pearton S.J. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications: Hardcover. 2006. 589 p
  9. Lin B., Fu Z. // Appl. Phis. Lett. 2001. V. 88. P. 943--945
  10. Xu L., Li X. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. P. 851--855
  11. Chen T., Cao L., Zhang W. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. P. 123 715
  12. He H., Li S., Sun L., Ye Z. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2013. V. 15. P. 7484--7487
  13. Vai A.T., Kuznetsov V.L., Jain H. et al. // Z. Anorg. Allg. Chem. 2014. V. 640. P. 1054--1062

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme