Вышедшие номера
Повышение эффективности кремниевого туннельного МДП-инжектора горячих электронов при использовании оксидов с большой диэлектрической проницаемостью
Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shulekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Теоретически показано, что при замене диоксида кремния в структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) двухслойным изолятором HfO2(ZrO2)/SiO2 должно происходить уменьшение относительного вклада электронов со сравнительно малыми энергиями в полный туннельный ток. Как следствие, для многих режимов предсказывается подавление компоненты тока, связанной с переносом заряда в валентную зону Si или из нее, особенно низкоэнергетической части данной компоненты. Это может повысить эффективность инжекционных приборов, таких как транзистор с туннельным МДП-эмиттером или резонансно-туннельный диод на основе сильнолегированной МДП-структуры.