Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 17 » Статья стр. 103
<<<
Повышение эффективности кремниевого туннельного МДП-инжектора горячих электронов при использовании оксидов с большой диэлектрической проницаемостью
Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shulekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
PDF версия
Теоретически показано, что при замене диоксида кремния в структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) двухслойным изолятором HfO2(ZrO2)/SiO2 должно происходить уменьшение относительного вклада электронов со сравнительно малыми энергиями в полный туннельный ток. Как следствие, для многих режимов предсказывается подавление компоненты тока, связанной с переносом заряда в валентную зону Si или из нее, особенно низкоэнергетической части данной компоненты. Это может повысить эффективность инжекционных приборов, таких как транзистор с туннельным МДП-эмиттером или резонансно-туннельный диод на основе сильнолегированной МДП-структуры.
  1. Wilk G.D., Wallace R.W., Anthony J.M. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 10. P. 5243--5275
  2. Robertson J., Wallace R.W. // Mat. Sci. Eng. R. 2015. V. 88. P. 1--41
  3. Asli N., Shulekin A.F., Yoder P.D., Vexler M.I., Grekhov I.V., Seegebrecht P. // Proc. ESSDERC. Estoril, Portugal. 2003. P. 545--548
  4. Mihaychuk J.G., Denhoff M.W., McAlister S.P., McKinnon W.R., Chin A. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. Paper N 054 502 (10 p.)
  5. Aderstedt E., Medugorac I., Lundgren P. // Solid-St. Electr. 2002. V. 46. N 4. P. 497--500
  6. Карева Г.Г., Векслер М.И. // ФТП. 2013. T. 47. В. 8. С. 1087--1093
  7. Векслер М.И., Тягинов С.Э., Илларионов Ю.Ю., Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, Федоров В.В., Исаков Д.В. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 5. С. 675--683
  8. Vexler M.I., Tyaginov S.E., Shulekin A.F. // J. Phys.: Condens. Matter. 2005. V. 17. N 50. P. 8057--8068
  9. Monaghan S., Hurley P.K., Cherkaoui K., Negara M.A., Schenk A. // Solid-St. Electr. 2009. V. 53. N 4. P. 438--444
  10. Govoreanu B., Blomme P., Henson K., van Houdt J., de Meyer K. // Proc. SISPAD. Boston. USA. 2003. P. 287--290
  11. Chanana R.K. // IOSR J. Appl. Phys. 2014. V. 6. N 4. Ver. II. P. 5--61

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme