"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Рост объемных кристаллов AlN методом газофазной эпитаксии из атомарного Al и NH3
Погорельский М.Ю.1, Алексеев А.Н.1, Погорельский Ю.В.1, Шкурко А.П.1
1ЗАО Научное и технологическое оборудование, Санкт-Петербург
Email: michael179p@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Опробован новый подход к получению объемных монокристаллов AlN методом газофазной эпитаксии. В качестве ростовых реагентов применяются NH3 и пар Al. Допустимый в лабораторном оборудовании (экспериментальной ростовой установке) диапазон ростовых условий: температуры 1050-1500oC при расходах аммиака до 50 sccm и давлениях порядка 10-5-10-4bar, скорости роста до 200 mu m· h-1. При температуре 1450oC на MBE-темплейтах на основе подложек сапфира диаметром 2'' получены образцы напряженных объемных блочных кристаллов AlN в вюрцитной фазе в направлении [0001] толщиной до 200 mum.
  1. Shatalov M., Sun W., Lunev A., Hu X., Dobrinsky A., Bilenko Y., Yang J., Shur M., Gaska R., Moe C., Garrett G., Wraback M. // Appl. Phys. Express V. 5. (2012). P. 082 101
  2. Grandusky J.R., Gibb S.R., Mendrick M., Schowalter L.J. // Phys. Stat. Sol. C. V. 8. N 5. P. 1528--1533
  3. Wunderer T., Chua C.L., Northrup J.E., Yang Z., Johnson N.M., Kneissl M., Garrett G.A., Shen H., Wraback M., Moody B., Craft H.S., Schlesser R., Dalmau R.F., Sitar Z. // Phys. Stat. Sol. C. 2012. V. 9. N 3--4. P. 822--825
  4. Moe C.G., Garrett G.A., Grandusky J.R., Chen J., Rodak L.E., Rotella P., Wraback M., Schowalter L.J. // Phys. Stat. Sol. C. 2014. V. 11. N 3--4. P. 786-789
  5. UV LED market report. 2011 edition. Yole Developpement
  6. Shatalov M., Sun W., Jain R., Lunev A., Hu X., Dobrinsky A., Bilenko Y., Yang J., Garrett G.A., Rodak L.E., Wraback M., Shur M., Gaska R. // Semicond. Sci. Technol. 2014. V. 29. P. 084 007 (6 p)
  7. Shatalov M., Sun W., Jain R., Lunev A., Dobrinsky A., Bilenko Yu., Yang J., Tamulaitis G., Rodak L.E., Garrett G.A., Wraback M., Saxena T., Shur M., Gaska R. // Proc. IWN 2014
  8. Karpov S.Yu. // Gallium Nitride Materials and Devices VI / Eds Chyi J.-I., Nanishi Y., Morkoc H., Piprek J., Yoon E., Proc. SPIE. 2011. V. 7939. P. 79391C
  9. Compound Semiconductor. July 2014. P. 22--23
  10. Mueller S.G., Bondokov R.T., Morgan K.E., Slack G.A., Schujman S.B., Grandusky J., Smart J.A., Schowalter L.J. // Phys. Stat. Sol. A. 2009. V. 206. N 6. P. 1153--1159
  11. Compound Semiconductor. June 2013. P. 26
  12. Collazo R., Xie J., Gaddy B.E., Bryan Z., Kirste R., Hoffmann M., Dalmau R., Moody B., Kumagai Y., Nagashima T., Kubota Y., Kinoshita T., Koukitu A., Irving D.L., Sitar Z. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 191 914
  13. Bickermann M., Filip O., Epelbaum B.M., Heimann P., Feneberg M., Neuschl B., Thonke K., Wedler E., Winnacker A. // J. Crystal Growth. 2012. V. 339. P. 13-21
  14. Kumagai Y., Yamane T., Koukitu A. // J. Crystal Growth. 2005. V. 281. P. 62--67
  15. Melnik Yu., Soukhoveev V., Ivantsov V., Sizov V., Pechnikov A., Tsvetkov K., Kovalenkov O., Dmitriev V., Nikolaev A., Kuznetsov N., Silveira E., Freitas Jr.J. // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V. 200. N 1. P. 22--25
  16. Baranov P.G., Mokhov E.N., Ostroumov A.O., Ramm M.G., Ramm M.S., Ratnikov V.V., Roenkov A.D., Vodakov Yu.A., Wolfson A.A., Saparin G.V., Karpov S.Yu., Zimina D.V., Makarov Yu.N., Juergensen H. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1998. V. 3. P. 50
  17. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Roenkov A.D., Boiko M.E., Baranov P.G. // J. Crystal Growth. 1998. V. 183. P. 10--14
  18. Yang S.H., Nahm K.S., Hahn Y.B., Lee Y.S., Jeong M.S., Suh E.-K. // J. Korean Phys. Soc. 2000. V. 36. N 3. March 2000. P. 182--187
  19. Petrov S.I., Alexeev A.N., Krasovitsky D.M., Chaly V.P., Mamaev V.V. // Molecular Beam Epitaxy Workshop Book of Abstracts Nara. 2012
  20. Lu P., Collazo R., Dalmau R.F., Durkaya G., Dietz N., Raghothamachar B., Dudley M., Sitar Z. // J. Crystal Growth. 2009. V. 312. P. 58--63

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.