Вышедшие номера
Кулоновская блокада и перенос заряда в микрозернах антимонида индия
Глуховской Е.Г.1, Жуков Н.Д.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 29 января 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

С помощью туннельного микроскопа в режиме автоэмиссии исследованы вольт-амперные характеристики и спектры плотности состояний зерен нано- и микроразмеров антимонида индия с проводимостью, близкой к собственной и электронной. Интерпретация полученных зависимостей позволяет считать, что наблюдаются эффекты ограничения тока, подобного кулоновской блокаде в квантовых точках. Результаты объясняются в модели многоэлектронной перезарядки наноконденсатора, образованного в приповерхностном слое микрозерна, в котором заряд локализован из-за кулоновского взаимодействия "сверхлегких" электронов в объеме и на неровной поверхности микрозерна.
  1. Аверин Д.В., Зорин А.Б., Лихарев К.К. // ЖЭТФ. 1985. Т. 88. N 2. С. 692
  2. Щелкачёв Н.М., Фоминов Я.В. Электрический ток в наноструктурах: кулоновская блокада и квантовые точечные контакты. М.: МФТИ, 2010. 39 с
  3. Баграев Н.Т., Буравлёв А.Д., Клячкин Л.Е. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 6. С. 716--728
  4. Погосов А.Г., Буданцев М.В., Шевырин А.А. и др. // Вестник НГУ. Сер. Физ. 2009. Т. 4. В. 2. С. 53--57
  5. Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г. // Нанотехника. 2014. N 2(38). С. 127--131
  6. Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. СПб.: Наука, 2001. 53 с
  7. Манцевич В.Н., Музыченко Д.А., Орешкин А.И. и др. // ПТЭ. 2006. N 6. С. 1--4
  8. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967. 447 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.