Ионно-лучевая кристаллизация наноструктур InAs/GaAs(001)
Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Williamson A., Лунин Л.С., Ирха В.А., Гамидов В.А.
Поступила в редакцию: 19 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.
Предложен метод ионно-лучевой кристаллизации наноструктур InAs/ GaAs(001) с квантовыми точками. Уточнены коэффициенты распыления GaAs и InAs в диапазоне энергий EAr+=200-300 eV и угле падения аргонового пучка theta=30o. Продемонстрирована возможность достижения скоростей роста до 0.1 ML/s для InAs, 0.05 ML/s для GaAs. Данные атомно-силовой и электронной микроскопии, фотолюминесценции, комбинационного рассеяния показывают, что повышение плотности тока пучка с 5 до 15 muA/cm2 при энергии EAr+=200 eV и температуре подложки T=480oC приводит к увеличению латеральных размеров квантовых точек с 15 до 25 nm и поверхностной плотности с 2· 1010 до 9· 1010 cm-2. Повышение плотности тока до 20 muA/cm2 при той же энергии ионов сопровождается резким увеличением средних латеральных размеров квантовых точек до 70 nm и уменьшением плотности до 3· 1010 cm-2.
- Luque A., Linares P.G., Mellor A., Andreev V.M., Marti A. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 123 901
- Антонов А.В., Востоков Н.В., Дроздов М.Н., Молдавская Л.Д., Шашкин В.И., Хрыкин О.И., Яблонский А.Н. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 11. C. 1511--1513
- Моисеев К.Д., Пархоменко Я.А., Гущина Е.В., Анкудинов А.В., Михайлова М.П., Берт Н.А., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 8. С. 1142--1150
- Verma V.B., Reddy U., Dias N.L., Bassett K.P., Li X., Coleman J.J. // J. Quantum electronics. 2010. V. 46. N 12. P. 1827--1833
- Чеботарев C.Н., Пащенко А.С., Лунин Л.С., Ирха В.А // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 16. С. 30--37
- Лунин Л.С., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С. // Неорганические материалы. 2013. Т. 49. N 5. С. 457--461
- Лунин Л.С., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Дудников С.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. N 1. С. 40--45
- Leonard D., Pond K., Petroff P.M. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. N 16. P. 11 687--11 692
- Берт Н.А., Сошников И.П. // ЖТФ. 1997. Т. 67. В. 6. С. 113--117
- Sigmund P. // Thin Solid Films. 2012. V. 520. P. 6031--6049
- Soshnikov I.P., Kudriavtsev Yu.A., Lunev A.V., Bert N.A. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B. 1997. V. 127/128. P. 115--118
- Matsunami N., Yamamura Y., Hikawa H., Itoh N., Kazumata Y., Miyagawa S., Morita K., Shimuzu R., Tawara H. // Atomic Data and Nuclear Data Tables. 2002. V. 31. P. 1--80
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук