Вышедшие номера
Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками
Крыжановская Н.В., Лебедев М.В., Львова Т.В., Кудашова Ю.В., Шостак И.И., Моисеев Э.И., Жуков А.Е., Максимов М.В., Кулагина М.М., Надточий А.М., Трошков С.И., Блохин А.А., Бобров М.А.
Поступила в редакцию: 10 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Была использована сульфидная пассивация для уменьшения скорости поверхностной безызлучательной рекомбинации в микродисковых мезах на основе гетероструктур (AlGaIn)As/GaAs, активная область которых была сформирована либо из 10 квантовых ям GaAs/AlAs, либо из одного слоя квантовых точек InAs/In0.15Ga0.85As. Показано, что пассивация приводит к существенному возрастанию интенсивности фотолюминесценции во всех типах мезаструктур.