Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 12 » Статья стр. 97
<<<>>>
Моделирование распыления материалов фокусированным ионным пучком
Боргардт Н.И.1, Волков Р.Л.1, Румянцев А.В.1, Чаплыгин Ю.А.1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: lemi@miee.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
PDF версия
Описание эволюции поверхности образца под воздействием фокусированного ионного пучка выполнено методом функций уровня в рамках модели, которая учитывает эффекты переосаждения атомов, первично распыленных падающими ионами. Для достижения количественного соответствия результатов моделирования экспериментальным данным на основе специально выполненных экспериментов уточнены как форма ионного пучка, так и модель распыления им вторично осажденного материала. На примере углублений прямоугольной формы показано, что развитый подход позволяет с хорошей точностью моделировать рельеф поверхности, формирующийся под воздействием фокусированного ионного пучка.
  1. Bassim N., Scott K., Giannuzzi L.A. // MRS Bulletin. 2014. V. 39. P. 317--325
  2. Rommel M. et al. // Microelectron. Eng. 2010. V. 87. P. 1566--1568
  3. Cantoni M., Holzer L. // MRS Bulletin. 2014. V. 39. P. 354--360
  4. Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Кукин В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 18. С. 53--60
  5. Giannuzzi L. A., Stevie F.A.A. // Micron. 1999. V. 30. P. 197--204
  6. Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Кукин В.Н. и др. // Поверхность. 2011. Т. 9. С. 94--99
  7. Stoyanov S., Bailey C., Tang Y.K. et al. // JPCS. 2010. V. 253. P. 012 008
  8. Kim H.-B., Hobler G., Lugstein A. et al. // J. Micromech. Microeng. 2007. V. 17. P. 1178--1183
  9. Kim H.-B., Hobler G., Steiger A. et al. // Nanotechnology. 2007. V. 18. P. 245 303
  10. Osher S., Fedkiw R. P. // J. Comput. Phys. 2001. V. 169. P. 463--502
  11. Ertl O., Filipovic L., Selberherr S. // Int. Conf. Sim. Semicond. Pressure. 2010. P. 49--52
  12. Lorensen W. E., Cline H.E. // ACM Siggraph Computer Graphics. 1987. V. 21. P. 163--169
  13. Lindsey S., Hobler G. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2012. V. 282. P. 12--16
  14. Lugstein A., Basnar B., Hobler G. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. P. 4037--4042
  15. Tan S., Livengood R., Greenzweig Yu. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2012. V. 30. P. 274--278
  16. Frey L., Lehrer C., Ryssel H. // Appl. Phys. A. 2003. V. 76. P. 1017--1023

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme