Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование распыления материалов фокусированным ионным пучком
Боргардт Н.И.1, Волков Р.Л.1, Румянцев А.В.1, Чаплыгин Ю.А.1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия 
Email: lemi@miee.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
Описание эволюции поверхности образца под воздействием фокусированного ионного пучка выполнено методом функций уровня в рамках модели, которая учитывает эффекты переосаждения атомов, первично распыленных падающими ионами. Для достижения количественного соответствия результатов моделирования экспериментальным данным на основе специально выполненных экспериментов уточнены как форма ионного пучка, так и модель распыления им вторично осажденного материала. На примере углублений прямоугольной формы показано, что развитый подход позволяет с хорошей точностью моделировать рельеф поверхности, формирующийся под воздействием фокусированного ионного пучка.
- Bassim N., Scott K., Giannuzzi L.A. // MRS Bulletin. 2014. V. 39. P. 317--325
- Rommel M. et al. // Microelectron. Eng. 2010. V. 87. P. 1566--1568
- Cantoni M., Holzer L. // MRS Bulletin. 2014. V. 39. P. 354--360
- Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Кукин В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 18. С. 53--60
- Giannuzzi L. A., Stevie F.A.A. // Micron. 1999. V. 30. P. 197--204
- Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Кукин В.Н. и др. // Поверхность. 2011. Т. 9. С. 94--99
- Stoyanov S., Bailey C., Tang Y.K. et al. // JPCS. 2010. V. 253. P. 012 008
- Kim H.-B., Hobler G., Lugstein A. et al. // J. Micromech. Microeng. 2007. V. 17. P. 1178--1183
- Kim H.-B., Hobler G., Steiger A. et al. // Nanotechnology. 2007. V. 18. P. 245 303
- Osher S., Fedkiw R. P. // J. Comput. Phys. 2001. V. 169. P. 463--502
- Ertl O., Filipovic L., Selberherr S. // Int. Conf. Sim. Semicond. Pressure. 2010. P. 49--52
- Lorensen W. E., Cline H.E. // ACM Siggraph Computer Graphics. 1987. V. 21. P. 163--169
- Lindsey S., Hobler G. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2012. V. 282. P. 12--16
- Lugstein A., Basnar B., Hobler G. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. P. 4037--4042
- Tan S., Livengood R., Greenzweig Yu. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2012. V. 30. P. 274--278
- Frey L., Lehrer C., Ryssel H. // Appl. Phys. A. 2003. V. 76. P. 1017--1023
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
