"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности антимонида индия
Михайлов А.И.1, Кабанов В.Ф.1, Жуков Н.Д.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: v7021961@yandex.ru
Поступила в редакцию: 30 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Проведено исследование механизмов автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности образцов полупроводника InSb. Показано, что механизм тока автоэлектронной эмиссии удовлетворительно описывается теорией Моргулиса-Стрэттона. Интерпретация полученных зависимостей дала возможность считать, что наблюдался эффект низкополевой автоэлектронной эмиссии. Анализ экспериментально полученных туннельных спектров позволил идентифицировать пики зависимости коэффициента нелинейности ВАХ как проявление особенностей энергетического спектра квантово-размерного объекта.
  1. Егоров Н.В., Шешин Е.П. Автоэлектронная эмиссия. Принципы и приборы. М.: Интеллект, 2011. 704 с
  2. Стеценко Б.В. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 4. С. 152-154
  3. Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г. // Нанотехника. 2014. В. 2. С. 127-131
  4. Сканирующий зондовый микроскоп. НАНОЭДЬЮКАТОР-I: Руководство по эксплуатации. 2012. Copyright "НТ-МДТ". http://www.ntmdt.ru
  5. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Российская академия наук. Институт физики микроструктур. Нижний Новгород, 2004. 110 с
  6. Кузьменко А.П., Кузько А.Е., Тимаков Д.И. // ЖТФ. 2013. Т. 83. В. 2. С. 91-96
  7. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. М.: Университетская книга; Логос; Физматкнига, 2006. 496 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.