Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
Григорьев Р.В., Штром И.В., Григорьева Н.Р., Новиков Б.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Буравлев А.Д., Цырлин Г.Э.
Поступила в редакцию: 4 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Представлены исследования фотоэлектрических свойств массива GaAs/ AlxGa1-xAs (x~ 0.3) аксиальных нитевидных нанокристаллов n-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на p-типа кремниевой подложке. Выявлена возможность эффективного разделения зарядов в широком спектральном диапазоне (от 450 до 1100 nm), что актуально для создания активного элемента в фотоприемных устройствах и солнечных батареях.
- Alexander V. Senichev, Vadim G. Talalaev, Igor V. Shtrom, Horst Blumtritt, George E. Cirlin, Jorg Schilling, Christoph Lienau, Peter Werner // ACS Photonics. 2014. htt://dx.doi.org/10.1021/ph5002022
- Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. С. 1585--1628
- Dong Y., Tian B., Kempa T.J., Lieber С.М. // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 2183
- Hu L., Chen G. // Nano Lett. 2007. V. 7(11). P. 3249--3252
- Kayes B.M., Atwater H.A., Lewis N.S. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 114 302
- Jiang X., Qihua Xiong, Sungwoo Nam et al. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 3214--3218
- Diedenhofen S.L., Vecchi G., Algra R.E. et al. // Advanced Materials. 2009. V. 21. P. 973--978
- Muskens O.L., Diedenhofen S.L., Kaas B.C. // Nano Lett. V. 9. P. 930--934
- Demichel O., Heiss M., Bleuse J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. N 20. P. 201 907--201 909
- Li Q.H., Gao T., Wang Y.G., Wang T.H. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. N 12. P. 123 117--123 119
- Cirlin G.E., Dubrovskii V.G., Samsonenko Yu.B., Bouravleuv A.D., Durose K., Proskuryakov Y.Y., Mendes Budhikar, Bowen L., Kaliteevski M.A., Abram R.A., Dagou Zeze // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. N 3. P. 035 302
- Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Хребтов А.И., Буравлев А.Д., Поляков, Улин В.П., Дубровский В.Г., Werner P. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 441--445
- Алексеев П.С., Дунаевский М.С., Марычев М.О., Нежданов А.В., Lepsa M., Grutzmacher D., Титков А.Н. // Вестник Нижегородского университета. 2013. Т. 2. С. 22--27
- Novikov B.V., Serov S.Yu., Filosofov N.G., Shtrom I.V., Talalaev V.G., Vyvenko O.F., Ubyivovk E.V., Samsonenko Yu.B., Bouravleuv A.D., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Cirlin G.E., Dubrovskii V.G. // RRL --- Rapid Research Letters. 2010. V. 4. N 7. P. 175--177
- Rziga-Ouaja F., Mejri H., Triki A., Selmi A. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 2583
- Борисов В.И., Сабликов В.А., Борисова И.В., Чмиль А.И. // ФТП. 1998. Т. 33. С. 68--74
- Edmund G. Seebauer, Meredith C. Kratzer // Charged Semiconductor Defects. Springer-Verlag London Limited, 2009
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
