Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 7 » Статья стр. 1
>>>
Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении
Брылевский В.И.1, Рожков A.В.1, Смирнова И.А.1, Родин П.Б.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.
PDF версия
Экспериментально обнаружено качественное отличие высоковольтных арсенид-галлиевых диодов от аналогичных кремниевых приборов при сверхбыстром переключении в режиме задержанного лавинного пробоя. Показано, что арсенид-галлиевый диод после переключения остается в высокопроводящем состоянии на всем протяжении приложенного импульса напряжения, восстановление обратного напряжения на p-n-переходе вследствие рассасывания неравновесной электронно-дырочной плазмы не происходит. За это же время (в нашем эксперименте 2 ns) кремниевый диод полностью переходит в блокирующее состояние. Величина остаточного напряжения для арсенид-галлиевого диода на порядок меньше, чем для кремниевого прибора. Обнаруженный эффект сходен с известным эффектом "залипания" в проводящем состоянии арсенид-галлиевых диодных ключей, переключаемых лазерным импульсом.
  1. Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 15. С. 950--953
  2. Grekhov I.V., Kardo-Sysoev A.F., Kostina L.S., Shenderey S.V. // Electron. Lett. 1981. V. 17. P. 422--423
  3. Алфёров Ж.И., Грехов И.В., Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Корольков В.И., Степанова М.Н. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 18. С. 1089--1093
  4. Вайнштейн С.Н., Жиляев Ю.В., Левинштейн М.Е. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 16. С. 1526--1530
  5. Грехов И.В., Ефанов В.М. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 14. В. 23. С. 2121--2124
  6. Грехов И.В., Ефанов В.М. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 17. С. 9--14
  7. Focia R.J., Schamiloghu Е., Fleddermann C.B., Agee F.J., Gaudet J. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. V. 25. P. 138--144
  8. Kardo-Sysoev A.F. / Ed. by Taylor J.D. Boca Raton, London, New York, Washington: CRS Press, 2001
  9. Grekhov I.V. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2010. V. 38. P. 1118--1123
  10. Брылевский В.И., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 8. С. 80--87
  11. Корольков В.И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур. Ташкент: Фан, 1986. 152 c
  12. High-power optically activated solid-state switches / Ed. A Rosen, F. Zutavern. Boston, London: Artech House, 1994
  13. Rossin V.V., Sidorov V.G. // Physica Status Solidi (a). 1986. V. 95. N 1. P. 15--40
  14. Long Нu, Jiancang Su, Zhenje Ding, Qingsong Hao, Хueling Yuan // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 094 503(1--8)
  15. Vainshtein S.N., Yuferev V.S., Kostamovaara J.T. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 024 502(1--9)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme