Равновесное состояние в трехэлементной системе Si-O-C при росте SiC методом химического замещения атомов
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
С позиций термодинамики химических реакций рассчитано равновесное состояние в системе из трех элементов: кремния Si, углерода С и кислорода О. Показано, что в актуальной области температур 1000oC<T<1400oC система, которая в начальный момент времени состоит из кристаллического Si и газа CO, стремится к равновесному состоянию из смеси четырех твердых фаз Si, C, SiC, SiO2 и равновесного пара над ними, состоящего в основном из SiO, CO, Si, CO2. Рассчитаны равновесные парциальные давления всех газов. Предложен оптимальный режим роста пленок SiC из Si методом замещения атомов, при котором растет только одна фаза SiC, а SiO2 и С не образуются.
- Fan J., Chu P.K. Silicon Carbide Nanostructures. Heidelberg: Springer, 2014. 330 p
- Kimoto T., Cooper J.A. Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications. N.Y.: Wiley-IEEE Press, 2014. 400 p
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 313 001--313 041
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 8. С. 1457--1485
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 0249091-7
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 4. С. 761--768
- Термодинамические свойства индивидуальных веществ / Под ред. В.П. Глушко. Т. 2. Кн. 2. М.: Наука, 1979. 344 с
- Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука, 1975. 592 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук