Исследовалась планарная структура МДП с диэлектрическим барьером MgSe. Для инжекции горячих электронов в широкозонную наногетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe использовалась полевая электронная эмиссия из металлического электрода. Определены средние величины параметров потенциального барьера на границе металл-диэлектрик. Экспериментально обнаружено, что площадь протекания эмиссионного тока существенно меньше площади металлического электрода. Это может быть связано с эффектом "шнурования" тока, протекающего через неоднородный тонкий слой диэлектрика. Показано, что для улучшения стабильности характеристик структуры МДП необходимо создание высококачественного однородного потенциального барьера. Оцененная максимальная локальная плотность эмиссионного тока I_max=~ 10³ A/cm² является достаточной для получения условий генерации излучения в гетероструктуре. Поэтому предложенный метод накачки может быть использован для создания лазеров на основе широкозонных полупроводниковых гетероструктур без p-n-переходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.