"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Структура и фотопроводимость эпитаксиальных слоев SiGe/Si, модифицированных моноимпульсным лазерным облучением
Ивлев Г.Д.1, Казючиц Н.М.1, Прокопьев С.Л.1, Русецкий М.С.1, Гайдук П.И.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: ivlev-1947@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Методами электронной микроскопии исследовано воздействие наносекундных импульсов излучения рубинового лазера на структурное состояние и морфологию эпитаксиальных слоев твердого раствора SiO0.5Ge0.5 на кремнии с инициированием фазового перехода кристалл-расплав. Получены данные о фотоэлектрических параметрах лазерно-модифицированных слоев, обладающих ячеистой структурой вследствие сегрегации германия на стадии отвердевания бинарного расплава.
  1. Poate J.M., Foti G., Jacobson D.C. (Eds). Surface Modification and Alloying by Laser, Ion, and Electron Beam. Springer, 1983. 414 p
  2. Brunco D.P., Thompson M.O., Hoglund D.E., Aziz M.J., Gossmann H.-J. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78 (3). P. 1575--1582
  3. Krishnan S., Chaundhry M.I., Babu S.V. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. N 8. P. 1884--1888
  4. Larciprete R.. Willmor P. Martelli S. et al. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 106. P. 179--185
  5. Frangis N., Van Landuyt J., Larciprete R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 22. P. 2877--2879
  6. Sobolev N.A., Ivlev G.D., Gatskevich E.I. et al. // Mater. Sci. Eng. C. 2003. V. 23. P. 19--22
  7. Weizman M., Nickel N.H., Sieber I., Yan B. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. P. 093 536-1--093 536-10
  8. Gaiduk P.I., Prakopyev S.L. // Springer Series in Material Science. 2013. V. 192. P. 79--105
  9. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Под ред. Ж.И. Алфёрова и В.С. Вавилова. М., 1973. 456 с
  10. Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И. // ЖТФ. 2012. Т. 82. В. 6. С. 69--72

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.