Структура и фотопроводимость эпитаксиальных слоев SiGe/Si, модифицированных моноимпульсным лазерным облучением
Ивлев Г.Д.1, Казючиц Н.М.1, Прокопьев С.Л.1, Русецкий М.С.1, Гайдук П.И.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: ivlev-1947@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.
Методами электронной микроскопии исследовано воздействие наносекундных импульсов излучения рубинового лазера на структурное состояние и морфологию эпитаксиальных слоев твердого раствора SiO0.5Ge0.5 на кремнии с инициированием фазового перехода кристалл-расплав. Получены данные о фотоэлектрических параметрах лазерно-модифицированных слоев, обладающих ячеистой структурой вследствие сегрегации германия на стадии отвердевания бинарного расплава.
- Poate J.M., Foti G., Jacobson D.C. (Eds). Surface Modification and Alloying by Laser, Ion, and Electron Beam. Springer, 1983. 414 p
- Brunco D.P., Thompson M.O., Hoglund D.E., Aziz M.J., Gossmann H.-J. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78 (3). P. 1575--1582
- Krishnan S., Chaundhry M.I., Babu S.V. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. N 8. P. 1884--1888
- Larciprete R.. Willmor P. Martelli S. et al. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 106. P. 179--185
- Frangis N., Van Landuyt J., Larciprete R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 22. P. 2877--2879
- Sobolev N.A., Ivlev G.D., Gatskevich E.I. et al. // Mater. Sci. Eng. C. 2003. V. 23. P. 19--22
- Weizman M., Nickel N.H., Sieber I., Yan B. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. P. 093 536-1--093 536-10
- Gaiduk P.I., Prakopyev S.L. // Springer Series in Material Science. 2013. V. 192. P. 79--105
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Под ред. Ж.И. Алфёрова и В.С. Вавилова. М., 1973. 456 с
- Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И. // ЖТФ. 2012. Т. 82. В. 6. С. 69--72
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.