Вышедшие номера
Абсолютный эталон диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в монокристаллическом кремнии
Скиданов В.А.1
1Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН)
Email: skidanov@ippm.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Существенное различие в сечениях рекомбинации электронов на комплексах Fe-B sigma1 и на активированных ионах железа sigma2 в монокристаллическом кремнии, легированном бором, использовано для независимого определения времени жизни электронов в эталоне Tst с помощью метода поверхностной фотоэдс. Пары значений времени жизни электронов T1 и T2 до и после разложения комплексов Fe-B были измерены для каждого из 600 слитков при произвольно выбранном значении диффузионной длины Lcal для калибрующего образца и размещены на плоскости (T1,T2). На границе заполненной точками области представлены слитки, загрязненные только ионами железа, так что T2/T1= sigma1/sigma2. Истинные значения Lst и Tst калибрующего образца и отношение sigma1/sigma2 = 12.5 ±0.5 определены с помощью подбора нового значения диффузионной длины для калибрующего образца, спрямляющего границу заполненной точками области после пересчета величин T1 и T2.
  1. Jastrzebski L., Henley W., Nuese C. J. // Solid State Technology. 1992. V. 5. N 27. P. 27--33
  2. Istratov A.A., Hieslmair H., Weber E.R. // Appl. Phys. A. 2000. V. 70. N 5. P. 489--534
  3. Skidanov V.A. // Defect and Diffusion Forum. 2010. V. 297--301. P. 495--501
  4. Giesecke J.A., Schubert M.C., Walter D., Warta W. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97 P. 092 109
  5. Kiliani D., Micard D., Steuer B. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. N 5. P. 054 508

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.