Вышедшие номера
Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs
Вихрова О.В.1, Дорохин М.В.1, Дёмина П.Б.1, Звонков Б.Н.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А.1, Калентьева И.Л.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Исследованы излучательные характеристики и циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с одиночной (GaAs/GaAsSb/GaAs) или двухслойной (GaAs/InGaAs/GaAsSb/GaAs) квантовой ямой и дельта-слоем Mn в барьере GaAs. Впервые обнаружено и исследовано ферромагнитное воздействие дельта-слоя марганца на спиновую поляризацию носителей в квантовых ямах на основе гетероструктур II рода. Для описания исследованных явлений использована модель обменного взаимодействия ионов Mn в барьере и дырок в квантовой яме.