Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурное состояние эпитаксиальных слоев ZnO из измерений интегральной интенсивности трехволновых и двухволновых рефлексов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный университет
2Санкт-Петербургский государственный университет
Email: r.kyutt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
По методу Реннингера измерена трехволновая дифракция от эпитаксиальных слоев ZnO разной толщины и совершенства. Проанализирована интегральная интенсивность трехволновых рефлексов и сравнена с интенсивностью двухволновых Брэгг- и Лауэ-отражений. Показано, что для тонких слоев ZnO, выращенных с преобладанием потока кислорода, интегральная интенсивность как трехволновых пиков, так и Лауэ-рефлекса много меньше, чем для слоя такой же толщины, выращенного с преобладанием Zn. Этот факт объясняется наличием текстурированного подслоя в первом случае.
- Ратников В.В., Кютт Р.Н., Иванов С.В., Щеглов М.П., Waag A. // ФТП. 2010. Т. 44. С. 265--269
- Ratnikov V.V., Kyutt R.N., Shubina T.V., Pashkova T., Monemar B. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2001. V. 34. A30--34
- Blasing J., Krost A. // Phys. Stat. Sol. 2004. V. 201. P. 17
- Кютт Р.Н. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 5. С. 81--88
- Kyutt R.N., Scheglov M.P. // J. Appl. Cryst. 2013. V. 46. P. 861
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
