Исследовано влияние низкоинтенсивного (I~ 1.2· 10⁵cm^-2· s^-1) бета-облучения на процесс отслаивания аморфной пленки AlN (толщиной порядка 100 nm) от кремниевой подложки ориентации (100) при царапании пирамидой Берковича с линейно нарастающей во времени нагрузкой. Обнаружено, что после облучения (флюенс f=2.16· 10¹⁰ cm^-2) пленка AlN начинает отслаиваться при меньшей (на 10%) нагрузке и уменьшается (на 40%) латеральная сила, действующая на царапающий индентор. Полученные результаты могут найти применение в совершенствовании технологии бондинга, а также должны учитываться при оценке надежности тонкопленочных структур, подверженных (преднамеренно или случайно) действию электронного облучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.