Вышедшие номера
Нестационарная локальная переориентация нематика в ячейке с кремниевым p-n-переходом
Гончаров Ю.И.1, Колесников Д.А.1, Кучеев С.И.1
1Белгородский государственный университет
Email: skucheev@yahoo.com
Поступила в редакцию: 7 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Впервые сообщается о наблюдении эффекта локальной нестационарной переориентации нематика, который инициируется обратно смещенным p-n-переходом в ячейке с подложкой Si. Скорость перемещения, дистанция, на которую перемещается полоса переориентированного нематика, на порядок превышающая толщину ячейки, определяются напряжением смещения p-n-перехода, а ее профиль зависит от распределения поверхностной проводимости, которая в работе задается облучением ионами Ga (30 keV) или генерацией неравновесных носителей заряда в кремнии светом. Локальная переориентация нематика и обеднение поверхности кремния объясняются влиянием поля объемного заряда в жидком кристалле.