"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных p+-n-фотодиодных структур
Мынбаев К.Д.1,2,3,4, Баженов Н.Л.1,2,3,4, Якушев М.В.1,2,3,4, Марин Д.В.1,2,3,4, Варавин В.С.1,2,3,4, Сидоров Ю.Г.1,2,3,4, Дворецкий С.А.1,2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Методом фотолюминесценции исследована дефектно-примесная структура гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe/Si (0.35<x<0.39), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией для создания p+-n--переходов ионной имплантацией мышьяка. Показано, что полной реализации возможностей фотодиодных структур "p+-на-n" на основе CdHgTe/Si препятствует неконтролируемое легирование материала, приводящее к формированию как мелких (с энергией залегания ~10 meV), так и глубоких (~50 meV) акцепторных уровней.
  • Mollard L., Destefanis G., Bourgeois G., Ferron A., Baier N., Gravrand O., Barnes J.P., Papon A.M., Milesi F., Kerlain A., Rubaldo L. // J. Electron. Mater. 2011. V. 40. P. 1830
  • Якушев М.В., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Марин Д.В. // ФТП. 2014. Т. 48. С. 788
  • Lobre C., Jalabert D., Vickridge I., Briand E., Benzeggouta D., Mollard L., Jouneau P.H., Ballet P. // Nucl. Instrum. Phys. B. 2013. V. 313. P. 76
  • Itsuno A.M., Emelie P.Y., Phillips J.D., Velicu S., Grein C.H., Wijewarnasuriya P.S. // J. Electron. Mater. 2010. V. 39. P. 945
  • Billman C.A., Almeida L.A., Smith P., Arias J.M., Chen A., Lee D., Piquette E.C. // J. Electron. Mater. 2011. V. 40. P. 1693
  • Якушев М.В., Гутаковский А.К., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 956
  • Bubulac L.O., Benson J.D., Jacobs R.N., Stoltz A.J., Jaime-Vasquez M., Almeida L.A., Wang A., Wang L., Hellmer R., Golding T. et al. // J. Electron. Mater. 2011. V. 40. P. 280
  • Benson J.D., Bubulac L.O., Lennon C.M., Jacobs R.N., Smith P.J., Markunas J.K., Jaime-Vasquez M., Almeida L.A., Stoltz A., Arias J.A. et al. // J. Electron. Mater. 2013. V. 42. P. 3217
  • Ижнин И.И., Мынбаев К.Д., Якушев М.В., Ижнин А.И., Фицыч Е.И., Баженов Н.Л., Шиляев А.В., Савицкий Г.В., Jakiela R., Сорочкин А.В. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. С. 1363
  • Zhang X.H., Shao J., Chen L., Lu X., Guo S.L., He L., Chu J.H. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. Art. 043 503
  • Gemain F., Robin I.C., Brochen S., Ballet P., Gravrand O., Feuillet G. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. Art. 142 104
  • Swartz C.H., Tomkins R.P., Giles N.C., Myers T.H., Edwall D.D., Ellsworth J., Piquette E., Arias J., Berding M., Krishnamurthy S. et al. // J. Electron. Mater. 2004. V. 33. P. 728
  • Farrell S., Rao M.V., Brill G., Chen Y., Wijewarnasuriya P., Dhar N., Benson D., Harris K. // J. Electron. Mater. 2011. V. 40. P. 727
  • Белотелов С.В., Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А. // ФТП. 1991. Т. 25. С. 1058
  • Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Предеин А.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сорочкин А.В., Сусляков А.О. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 4. С. 1
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.